【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/077,375号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年12月8日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体结构以及该半导体结构的制备方法。特别是有关于一种在一导电组件的一侧壁上具有一保护层的半导体结构，以及一种在该导电组件的该侧壁上具有该保护层的该半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的制造包含在一半导体晶圆上依序沉积各种材料层，以及使用微影与蚀刻制程图案化材料层，以便形成多个微电子元件在半导体芯片上或半导体芯片中，微电子元件包括晶体管、二极体、电阻器及/或电容器。
2、半导体产业借由不断减小最小特征尺寸来继续改善微电子元件的整合密度，这允许将更多元件整合到一给定区域中。为了便于不同尺寸的元件的形成与整合，开发了具有更小占用面积的更小封装结构来封装半导体元件。然而，这样的形成与整合会增加制造半导体元件的复杂度。因此，希望开发解决上述挑战的改善。
3、上文的“先前技术”说明仅提供背...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电组件的一宽度大于该晶种层的一宽度，且该保护层的一厚度视该导电组件的该宽度的4％到10％。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该核心的一宽度大于该晶种层的一宽度。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该核心包括铜，且该保护层包括镍。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶种层包括钛以及铜。
6.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一罩盖层，设置在该保护层与该核心上，其中该罩盖层包括金。
7.如权利要求6所述的半导体结构...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电组件的一宽度大于该晶种层的一宽度，且该保护层的一厚度视该导电组件的该宽度的4％到10％。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该核心的一宽度大于该晶种层的一宽度。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该核心包括铜，且该保护层包括镍。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶种层包括钛以及铜。
6.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一罩盖层，设置在该保护层与该核心上，其中该罩盖层包括金。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该保护层包括一第一部分以及一第二部分，该第一部分设置在该核心上，该第二部分围绕该核心，该保护层的该第一部分设置在该罩盖层与该核心之间，该保护层的该第二部分设置在该罩盖层下方。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其中一底切形成在该保护层与该基底之间。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电组件是一重分布层线。
10.如权利要求6所述的半导体结构，其中该罩盖层的一宽度大致大于该晶种层的一宽度。
11.如权利要求1所述的半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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