一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底包含有二深沟槽；　　　　于每一深沟槽内形成一深沟槽电容，该深沟槽电容低于该半导体基底表面；　　　　于每一深沟槽电容表面上形成一隔绝层；...

一种具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法，包括：　　　　提供一基底；　　　　于该基底中形成至少一沟槽；　　　　于该沟槽下部形成一电容器；　　　　于该电容器上方形成一导线结构；　　　　于该导线结构上方形成一第一沟槽顶端绝缘层...

一种插塞的形成方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，于该半导体基底上形成一具有接触窗的介电层，该介电层上形成有一多晶硅层；　　　　提供一含氧化剂溶液；　　　　使该多晶硅层顶部表面接触该含氧化剂溶液以形成一化学氧化层；及　　　　于...

一种多层式抗反射层，适用于一基底，是包括：　　　　一介电质抗反射层形成于该基底上；以及　　　　一有机抗反射层形成于该介电质抗反射层上。

一种控制沟槽顶部尺寸的方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　提供一包括一沟槽的基板；　　　　形成一导电层填入部分该沟槽；　　　　形成一间隔层填入部分该沟槽，其中该间隔层位于该导电层上；　　　　形成一牺牲层于该间隔层之上的该沟槽侧壁；　...

一种避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法，包括下列步骤：　　　　提供一基底，包含有一渠沟以及一渠沟电容器，且具有一衬垫结构形成于上述基底的上表面，其中上述渠沟电容器包含有一节点介电层以及一储存节点，上述节点介电层是形成于该渠沟的侧壁与底部，上...

一种金属内连线的制造方法，适用于一半导体基底，此方法包括下列步骤：　　　　于该基底表面形成一第一介电层，且该第一介电层具有一开口；　　　　顺应性形成一金属层于该第一介电层及该开口中；　　　　回蚀刻该金属层以得到两独立的金属导线于该开口相...

一种具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程，包括：　　　　提供一基底；　　　　形成一垫层结构于该基底表面；　　　　形成一第一硬罩幕层于该垫层结构上；　　　　　形成一图案化的第二硬罩幕层于该第一硬罩幕层上，并露出部分的该第一硬罩幕层表面以构成...

一种具有单边埋藏带的记忆胞的制造方法，其特征在于包括下列步骤：　　　　提供一基底，该基底具有一沟槽；　　　　形成一沟槽电容于该沟槽的下部；　　　　形成一领圈绝缘层于该沟槽的上部的周围壁上；　　　　形成一第一导体层于该沟槽电容上方，并填满...

一种隔离具有部分垂直信道记忆单元的主动区的方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底包含有二深沟槽，该等深沟槽内分别形成有一深沟槽电容，且该等深沟槽电容低于该半导体基底表面，使该等深沟槽间成为一突出柱状的主动区；　　　　...

一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征包括：　　　　提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的多个第一孔洞图案；　　　　以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案...

一种控制深沟道顶部尺寸的方法，其特征是包括下列步骤：　　　　提供一包括一沟道的基板且该沟道中具有一第一导电层部分填入该沟道；　　　　形成一第一导电层填入部分该沟道；　　　　形成一非晶硅层覆盖该沟道侧壁与该导电层，其中该非晶硅层于沟道顶部...

一种形成堆叠式非易失性存储器的方法，包括：　　　　提供一半导体衬底；　　　　形成一图案化含砷介电层于该半导体衬底上，其中该图案化含砷介电层定义一第一开口，且该第一开口曝露出该半导体衬底的一部分及该图案化含砷介电层的一侧壁；　　　　形成一...

一种镶嵌式闸极制程，其步骤包括：　　　　提供一依序形成有一垫层以及一蚀刻停止层的半导体基底；　　　　形成一绝缘层覆盖该垫层以及该蚀刻停止层；　　　　移除部分的该绝缘层、该蚀刻停止层以及该垫层形成一开口；　　　　在该开口两侧壁形成保护间隙...

一种多位元垂直存储单元的制造方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底具有至少一沟槽；　　　　于邻近该半导体基底表面及该沟槽底部的该半导体基底中各形成一掺杂区以作为位元线；　　　　于每一该掺杂区上方各形成一位元线绝缘层；...

一种深沟渠式电容器的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供一基底，该基底中已形成有一深沟渠，且该深沟渠底部已形成有一掺杂区，该深沟渠底部的表面已形成有一电容介电层，在该电容介电层上已形成有一第一导电层；　　　　在未被该第一导电...

一种金属内连线制程，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供一基底，该基底上已形成有一介电层，且该介电层上已形成有一含硅罩幕层；　　　　以该含硅罩幕层为一蚀刻罩幕，图案化该介电层，以形成一开口；　　　　在该含硅罩幕层以及该开口的表面形成一...

一种部分垂直存储单元的双边角圆化制程，包括：　　　　提供一半导体基底，包括一存储单元数组区和一支持区，该半导体基底上具有一第一罩幕层，该存储单元数组区的该第一罩幕层和该半导体基底中具有一深沟槽，该深沟槽中的下半部具有一电容器，该电容器顶...

一种应用于金属内连线制程的清洗方法，其特征在于该金属内连线的清洗方法包括以下步骤：　　　　提供一基底，该基底上已形成有一导电层，且该导电层上已形成有一介电层；　　　　在该介电层中形成一开口，暴露出该导电层；以及　　　　以硫酸与过氧化氢的...

一种接触插塞的制作方法，其特征在于包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，其表面上设有依序相邻的一第一闸极导电结构、一第二闸极导电结构、一第三闸极导电结构以及一第四闸极导电结构，其中第二闸极导电结构与第三闸极导电结构是位于一有效区域内；...