【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种非易失性存储器及其制造方法，特别是关于一种。
技术介绍
传统的存储器元件可分为随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read Only Memory，ROM)两种。随机存取存储器所储存的数据在停止供应电源后即消失，又称为易失性存储器。只读存储器所储存的数据在停止供应电源后仍能保存，又称为非易失性存储器。随着各种消费性资讯电子产品的发展，只读存储器更发展出可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电子式可擦除可编程只读存储器(EEPROM)以及快闪存储器(Flash Memory)。快闪存储器由于可直接用电流更改数据，且具有体积小、容量大、读写快速、省电、耐震及防潮等优点，非常适合便携式商品。故快闪存储器的需求，随着数码相机、手机及MP3等相关产品的不断普及而逐年提高。一般的快闪存储器的主要结构为一堆叠式栅极结构，其中栅极结构包括一浮置栅(Floating Gate)及一控制栅(Control Gate)。由绝缘层所包围的浮置栅位于控制栅及硅衬底之间，并且不与其他字元线(wor...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成堆叠式非易失性存储器的方法，包括提供一半导体衬底；形成一图案化含砷介电层于该半导体衬底上，其中该图案化含砷介电层定义一第一开口，且该第一开口曝露出该半导体衬底的一部分及该图案化含砷介电层的一侧壁；形成一介电间隙壁于该图案化含砷介电层的侧壁；形成一源极/漏极区域于该半导体衬底；形成一栅极介电层于该曝露的半导体衬底上；形成一间隙壁浮置栅于该介电间隙壁的一侧壁，且该间隙壁浮置栅位于该栅极介电层之上；形成一层间介电层覆盖该间隙壁浮置栅；以及形成一控制栅层覆盖该第一开口。2.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化含砷介电层的步骤更包括形成一含砷介电层于该半导体衬底上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该含砷介电层上，其中该图案化光致抗蚀剂层定义该第一开口；以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该含砷介电层，以形成该图案化含砷介电层，且曝露出该半导体衬底的该部分及该图案化含砷介电层的侧壁；以及去除该图案化光致抗蚀剂层。3.如权利要求1所述的方法，其中形成该介电间隙壁的步骤更包括形成一共形介电层覆盖该半导体衬底；以及各向异性蚀刻该共形介电层，以形成该介电间隙壁于该图案化含砷介电层的侧壁。4.如权利要求1所述的方法，其中形成该源极/漏极区域的步骤包括使用热驱动法使该图案化含砷介电层内的砷原子扩散至该半导体衬底内。5.如权利要求1所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧清南，林其辉，庄英政，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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