本发明涉及一种分离栅极式快闪存储器，包括一基底、一导电间柱、一源极及一漏极掺杂区、一绝缘层、一导电间隙壁、一第一绝缘间柱、一第一导电层、及一第一绝缘间隙壁。此基底具有一沟道，其下半部设置有作为源极线的导电间柱。源极掺杂区形成于与导电间柱...

本发明提供一种浅沟道隔离物的制造方法，首先，提供一形成有沟道（其深宽比例如大于３）的半导体基底。然后顺应性地在所述沟道的侧壁与底部以及所述半导体基底的表面形成一氧化层，接着，利用旋转喷洒方式在所述沟道填入液体蚀刻遮蔽物，以当作蚀刻遮蔽物...

一种快闪存储器的记忆单元的制造方法，其步骤为：主要于半导体基底表面形成主动区，于主动区内依序形成第一绝缘层、第一导电层与遮蔽层，移除部分的遮蔽层后形成第一开口，实施离子植入制程，实施氧化制程以形成浮动栅极绝缘层，移除遮蔽层后，去除部分的...

本发明涉及一种快闪存储器的存储单元的制造方法，主要于半导体基底表面形成主动区，再依序形成第一绝缘层、第一导电层与第一遮蔽层，移除部分的第一遮蔽层以形成第一开口，进行氧化过程形成浮置栅氧化层；去除部分的第一导电层与第一绝缘层，形成第二开口...

本发明涉及一种快闪存储器的存储单元的制造方法，主要于半导体基底表面依序形成第一绝缘层、第一导电层与垫层，移除部分的垫层形成第一开口，于第一开口的侧壁形成导电侧壁层亦即尖端，去除部分的垫层、第一导电层、第一绝缘层与基底以形成第二开口，以第...

本发明涉及一种栅极结构与主动区的重叠偏移量的测量方法，其中主动区具有第一、第二侧边，第一至第Ｎ栅极结构互距一既定间隔地设置该主动区上，且上述第一、第Ｎ栅极结构与上述第一、第二侧边皆预定要重叠一既定宽度，该方法包括：提供一矩形掺杂区，设置...

本发明涉及一种半导体测试元件及方法，特别涉及一种用于检测动态随机存取存储器的字线结构与深沟电容器重叠是否产生偏移的测试元件，是设置于一芯片的切割道中，包括一沟道电容器，设置于上述切割道中，具有一埋入板；一矩形字线，设置于上述切割道之上，...

本发明揭示一种形成沟槽隔离结构的方法。首先，提供一具有至少一沟槽的基底。接着，在沟槽中填入一旋涂式玻璃层（ｓｐｉｎｏｎｇｌａｓｓ，ＳＯＧ）并对旋涂式玻璃层进行一第一烘烤处理。之后，回蚀刻旋涂式玻璃层至一既定深度。接着，对旋涂式玻璃层...

一种自动显示磨耗程度的研磨垫，包括一研磨基板，具有一研磨面、一基准面、至少一第一标记孔，设置于该研磨面下方一第一既定距离处、至少一第二标记孔，设置于该研磨面下方一第二既定距离处，以及至少一第三标记孔，设置于该研磨面下方一第三既定距离处，...

一种测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法，该测试元件设置于一晶片的切割道中，包括一沟槽电容器，其包括一电极层具有一第一掺杂浓度、一第一导电层具有一第二掺杂浓度以及一第二导电层具有一第三掺杂浓度；一阻绝块，贯穿第二导电层且延...

本发明公开了一种用于检测半导体元件中位元线与位元线接点的重叠是否产生偏移的测试元件及测试方法，该测试元件设置于切割道上，包括一第一、第二长条型位元线接点，各具有一外侧边以及两端；一第一、第二位元线，该第一位元线完全覆盖该第一长条型位元线...

本发明公开了一种瓶型沟槽的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一沟槽，且半导体基底上依序形成有一垫层及一硬掩膜层；接着，在硬掩膜层上形成一介电层，且介电层会填满沟槽；然后，蚀刻沟槽内的介电层至一既定深度，并在沟槽的侧壁形...

本发明涉及一种浅沟道隔离区形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基底；形成一掩膜层于半导体基底；以微影过程及蚀刻程序，定义掩膜层的型样；利用掩膜层的型样，施行一蚀刻程序而在半导体基底上形成数个沟道；在沟道内形成一侧壁间隔物层；施行一高密度...

本发明涉及一种形成埋层电极板的方法，适用于一具有垫层结构的基底，且该基底的既定位置上形成一深入基底的瓶型沟槽，其步骤包括：（ａ）沿着该瓶型沟槽周围的垫层结构以及该瓶型沟槽上半部的侧壁上形成一保护层；（ｂ）沿着该保护层以及该瓶型沟槽的侧壁...

一种海绵辊子，包括一海绵辊子轴心；及一海绵，包覆于海绵辊子轴心之上。该海绵辊子可通过增加海绵辊子轴心中央部份的半径的方式；或是通过将工作流体充入设于该海绵辊子轴心及该海绵之间的腔体的方式，调整该海绵与晶圆之间的接触压力，甚至可通过这种方...

本发明公开了一种介电层回蚀刻方法，适用于半导体元器件制造流程中，内层介电层（ｉｎｔｅｒ－ｌａｙｅｒ　　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ；ＩＬＤ）及金属层间介电层（ｉｎｔｅｒ－ｍｅｔａｌｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ；ＩＭＤ）的平坦化工序，可具体改善化学机械研...

本发明公开了一种具有边角保护层的浅沟槽隔离区制造程序，包括下列步骤：在半导体基底上依序形成垫绝缘层和掩膜层；形成开口以露出半导体基底；蚀刻开口内两侧的垫绝缘层，去除邻接开口的部分垫绝缘层；蚀刻掩膜层，去除开口两侧一预定宽度的掩膜层并于开...

一种填补复晶硅细缝的方法，包括以下步骤：提供具有一沟槽的半导体基底或绝缘层，此沟槽内填有具有细缝的第一复晶硅层；蚀刻第一复晶硅层，使得露出细缝；形成第二复晶硅层，以填入细缝的上部内，而封住细缝。具有使得细缝不会露出，避免可靠度较差的功效。

一种多重对准的标记及方法，适用于一具有对准标记的半导体基底，该方法步骤包括：首先，于半导体基底上形成一叠层对组，其中叠层对组具有至少一第一叠层及一第二叠层；接着，于第一叠层上形成复数第一对准标记，第一对准标记等距平行排列；于第二叠层上形...

一种源极／漏极元件的制造方法，步骤为：提供一基底，基底表面形成有一栅极结构及覆于其上的遮蔽层；在栅极结构侧壁依序形成一第一、一第二及一第三绝缘间隙壁；以遮蔽层及第三绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的基底表面以形成一第一掺杂区；...