半导体制造过程的清洗装置及海绵辊子制造方法及图纸

一种海绵辊子，包括一海绵辊子轴心；及一海绵，包覆于海绵辊子轴心之上。该海绵辊子可通过增加海绵辊子轴心中央部份的半径的方式；或是通过将工作流体充入设于该海绵辊子轴心及该海绵之间的腔体的方式，调整该海绵与晶圆之间的接触压力，甚至可通过这种方式补偿该海绵在长期使用后所产生的变形凹陷。一种半导体制造过程的清洗装置，包括：一海绵辊子；一动力源；一旋转接头，连接该动力源与该海绵辊子，以避免输送该工作流体的管路因为海绵辊子的旋转运动而打结无法使用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种海绵辊子，尤其涉及一种海绵辊子包括一海绵辊子轴心和一包覆于海绵辊子轴心之上的海绵；进一步涉及使用该海绵辊子的半导体制造过程的清洗装置。
技术介绍
本专利技术是关于一种改良型的海绵辊子。一般化学机械研磨抛光(CMP)过程后，会有微粒残留在晶圆表面，这些微粒会影响晶片的品质及优良率，因此须用海绵辊子对研磨后的晶圆进行清洁。如图1海绵辊子清洁设备俯视图所显示的，晶圆110以滚珠130带动而旋转，而海绵辊子120则以马达122旋转，清洁晶圆表面。然而由于现行使用的海绵辊子其清洁能力较差，且容易损坏而必须更换，本专利技术即为了改进常规技术的缺点，而开发出清洁能力佳，使用寿命长的海绵辊子。常规技术如图2所示，为一般在海绵辊子轴心220上包覆海绵210的海绵辊子。通常海绵辊子在进行清洁时，由于海绵210与晶圆230的接触压力在各接触点虽为一致，然而晶圆230转动的每点切线速度却不尽相同，由于晶圆230表面的切线速度为转速×旋转半径，因此在晶圆230边缘的切线速度最高，在晶圆230中心处的切线速度趋近于零，因而常规的海绵辊子在中心处的清洁能力较差。此外，如图3所示，常规的海绵辊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种海绵辊子，包括：　　　　一海绵辊子轴心；以及　　　　一海绵体，该海绵体具有中心通孔，所述海绵辊子轴心穿设于该海绵体的中心通孔之中；其特征在于，　　　　该海绵辊子为中央部位直径大于两端部位直径的棒槌状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种海绵辊子，包括一海绵辊子轴心；以及一海绵体，该海绵体具有中心通孔，所述海绵辊子轴心穿设于该海绵体的中心通孔之中；其特征在于，该海绵辊子为中央部位直径大于两端部位直径的棒槌状。2.如权利要求1所述的海绵辊子，其特征在于，该海绵体的中央部位的壁的厚度大于两端部位的壁的厚度，由此形成棒槌状的海绵体。3.如权利要求1所述的海绵辊子，其特征在于，该海绵辊子轴心的中央部位的直径大于两端部位的直径，由此形成棒槌状的海绵体。4.如权利要求1所述的海绵辊子，其特征在于，在该海绵辊子轴心及该海绵之间设有一腔体，且该腔体靠近该海...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊博，林仲民，王善樟，陈志焜，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]