用于漂洗和干燥半导体衬底的系统及其方法技术方案

一种通过提供干燥流体与清洗液比率例如Ｎ↓［２］蒸汽与ＩＰＡ蒸汽的比率的更高级控制增加器件成品率的用于清洗和干燥半导体晶片的系统和方法。此外，采用了快速排放处理，以增加处理量，以及进一步增强清洗和干燥步骤过程中的颗粒和水印去除。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
在布置在晶片衬底上的阵列中的半导体器件的制造过程中，晶片经受各种化学处理。该处理是在器件的形成过程中，晶片经历大量处理步骤的形式，包括层的形成、处理和除去、光刻工序等。在某些步骤之后，对后续工序可能具有副作用的外来颗粒可能残留在衬底上，在现代制造技术中，衬底被漂洗和干燥，以除去这种颗粒。对于漂洗晶片，通常使用去离子水(DI)或商品化的清洗液如SC1。当干燥衬底时，通常使用异丙醇(IPA)。但是，基于IPA的干燥处理通常在衬底上留下颗粒和水印。为了改进基于IPA的干燥处理，已盛行称为Marongoni技术的干燥技术。在Marongoni技术中，晶片被慢慢地提升出DI浴器，或DI浴器被慢慢地排放。此时，露出的晶片被浸于IPA蒸汽中。由于在与DI浴器的界面IPA蒸汽的浓度最高，因此在该区域水的最终表面张力很低。这导致一种称为远离晶片表面的DI水浴器的Marongoni流动的现象，由此干燥晶片表面。尽管Marongoni方法对于从晶片除去颗粒稍微有效，但是因为缓慢的排放过程急速地减少处理量。例如，12英寸晶片的排放时间可以是225秒的数量级。此外，在Marongoni流动过程之后水印本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理半导体晶片的系统，包括：用于干燥流体的第一供应品的第一入口；用于干燥流体的第二供应品的第二入口，干燥流体的第二供应品的供应速率与干燥流体的第一供应品的供应速率无关；用于存储净化流体的供应品的净化流体槽，该净化流体槽具有用于接收干燥流体的第二供应品的入口和具有用于以基于干燥流体的第二供应品的供应速率的速率提供净化流体的出口；以及用于容纳待清洗和干燥的半导体晶片的处理室，该处理室具有用于同时接收干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品的入口。

【技术特征摘要】
US 2004-3-9 10/796,507;KR 2003-10-28 10-2003-007551.一种用于处理半导体晶片的系统，包括用于干燥流体的第一供应品的第一入口；用于干燥流体的第二供应品的第二入口，干燥流体的第二供应品的供应速率与干燥流体的第一供应品的供应速率无关；用于存储净化流体的供应品的净化流体槽，该净化流体槽具有用于接收干燥流体的第二供应品的入口和具有用于以基于干燥流体的第二供应品的供应速率的速率提供净化流体的出口；以及用于容纳待清洗和干燥的半导体晶片的处理室，该处理室具有用于同时接收干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品的入口。2.根据权利要求1的系统，其中干燥流体的第一供应品包括氮气。3.根据权利要求1的系统，还包括用于加热第一入口和处理室之间的干燥流体的第一供应品的第一加热器。4.根据权利要求1的系统，其中干燥流体的第二供应品包括氮气。5.根据权利要求1的系统，还包括用于加热第二入口和净化流体槽之间的干燥流体的第二供应品的第二加热器。6.根据权利要求1的系统，还包括耦接到净化流体槽的第三加热器，用于加热槽中的净化流体。7.根据权利要求6的系统，其中通过第三加热器部分地加热，槽中的净化流体从流体变为蒸汽，以及其中干燥流体的第二供应品驱动净化流体蒸汽通过净化流体槽的出口。8.根据权利要求7的系统，其中净化流体槽的入口包括用于在低于流体平面的平面接收干燥流体的第二供应品的第一入口，以及在高于流体平面的平面接收干燥流体的第二供应品的第二入口。9.根据权利要求1的系统，还包括耦接到顺序耦接到处理室的入口的管线的第四加热器，在它们释放到处理室中之前用于加热干燥流体的第一供应品以及净化流体的供应品。10.根据权利要求1的系统，其中在处理室接收的干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品是蒸汽态11.根据权利要求1的系统，还包括用于将干燥流体的第一供应品有选择地耦接到净化流体槽的耦合管。12.根据权利要求1的系统，还包括用于将干燥流体的第二供应品有选择地直接耦接到处理室的耦合管。13.根据权利要求1的系统，还包括用于将第一入口有选择地耦接到第二入口的耦合管。14.根据权利要求1的系统，其中处理室还包括排放口。15.根据权利要求14的系统，还包括耦接到处理室的排放口的缓冲槽。16.根据权利要求15的系统，其中排放口包括多个排放口，以及其中多个排放口耦接到缓冲槽。17.根据权利要求16的系统，其中多个排放口具有确保处理室的快速排放的宽度。18.根据权利要求16的系统，其中在处理室中多个排放口被隔开，以保证当排放处理室时，待排放的流体顶表面与被排放的处理室保持平面相距。19.根据权利要求16的系统，其中多个排放口具有确保处理室的快速排放在小于约50秒的时间周期内的宽度。20.根据权利要求16的系统，其中多个排放口具有确保处理室的快速排放在约7秒和17秒之间的时间周期范围内的宽度。21.根据权利要求15的系统，其中缓冲槽具有大于或等于处理室的容量的容量。22.根据权利要求1的系统，还包括用于控制第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴奇丸，宋钟国，曹模炫，曹晟豪，李善宰，林平浩，曹东煜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]