经抛光的半导体晶片及其制造方法技术

本发明专利技术的涉及具有正面、背面及边缘Ｒ的抛光半导体晶片，该边缘Ｒ是位于距半导体晶片中心一段距离的半径上且是该半导体晶片经制轮廓的边界的一部分，其中在背面Ｒ－６毫米至Ｒ－１毫米的范围内背面平整度与理想平面的最大差异是０．７微米或更小。本发明专利技术还涉及一种用于制造抛光半导体晶片的方法，其中包括至少一次用液体蚀刻剂处理半导体晶片及至少一次抛光至少半导体晶片正面，在实施处理过程中该蚀刻剂是流至半导体晶片的边界上，面向蚀刻剂流体的半导体晶片边界至少一部分是经屏蔽以免遭受蚀刻剂冲击，其中该半导体晶片的边界是沿一定距离加以屏蔽，该距离是沿半导体晶片厚度ｄ的方向延伸且是至少ｄ＋１００微米长。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制作电子元件的经抛光的半导体晶片，其具有正面、背面及边缘，该边缘形成该半导体的圆周且是该晶片所形成轮廓界限的一部分。该半导体晶片具有经抛光的正面，电子元件在该正面内形成。对正面平整度的要求非常严格，如果该晶片是用于容纳线宽0.1微米或以下(≤0.1微米技术)的电子结构，则该要求特别高。为使该晶片可集成最多此类型电路，需确保所要求的平整度尽可能接近该正面的边缘。
技术介绍
一般半导体晶片正、背两面尤其正面增加平整度所作的努力一贯集中在影响平整度的半导体晶片制造子步骤上。这些子步骤特别包括诸如一个或两个侧面的精研和/或研磨及抛光的步骤。实际上经常实施的是作为单侧或双侧抛光步骤实施的至少一种抛光步骤。然而，正如EP 1119031A2中清楚显示的，侧面蚀刻的子步骤也可对平整度、尤其该侧面边缘区的平整度具有效果。为除去先前成形操作(例如半导体晶片的研磨和/或精研)留在表面上的损伤，在实施第一次抛光步骤之前，通常将半导体晶片加以蚀刻。上述专利申请中公开了，如果将半导体晶片暴露于蚀刻过程中流至半导体晶片边界上的液体蚀刻剂流体，经抛光的半导体晶片正面边缘区内容易形成突起部分。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经抛光的半导体晶片，其具有正面、背面及边缘Ｒ，该边缘Ｒ位于距半导体晶片中心一段距离的半径上、形成半导体晶片的圆周且是该半导体晶片所形成轮廓的边界的一部分，其中在背面Ｒ－６毫米至Ｒ－１毫米的范围内背面平整度与理想平面的最大差异是０．７微米或更小。

【技术特征摘要】
DE 2003-1-23 10302611.81.一种经抛光的半导体晶片，其具有正面、背面及边缘R，该边缘R位于距半导体晶片中心一段距离的半径上、形成半导体晶片的圆周且是该半导体晶片所形成轮廓的边界的一部分，其中在背面R-6毫米至R-1毫米的范围内背面平整度与理想平面的最大差异是0.7微米或更小。2.如权利要求1的半导体晶片，其中在背面R-6毫米至R-1毫米范围内背面平整度与理想平面的最大差异是0.5微米或更小。3.如权利要求1或2的半导体晶片，其中所述正面由外延沉积层形成。4.一种用于制造经抛光的半导体晶片的方法，其包括至少一次用液体蚀刻剂处理半导体晶片及至少一次抛光至少半导体晶片正面，在实施处理过程中该蚀刻剂流至半导体晶片的边界上，面向蚀刻剂流体的半导体晶片边界至少一部分经屏蔽以免蚀刻剂直接冲击，其中该半导体晶片的边界是沿一定距离加以屏蔽，该距离是沿半导体晶片厚度d的方向延伸且是至少d+10...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯托伊施勒，京特施瓦布，马克西米利安施塔德勒，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]