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本发明的涉及具有正面、背面及边缘Ｒ的抛光半导体晶片，该边缘Ｒ是位于距半导体晶片中心一段距离的半径上且是该半导体晶片经制轮廓的边界的一部分，其中在背面Ｒ－６毫米至Ｒ－１毫米的范围内背面平整度与理想平面的最大差异是０．７微米或更小。本发明还涉及...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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