半导体器件及其制造方法技术

半导体器件具有绝缘膜。互连槽或过孔形成在绝缘膜中。互连图形或过孔埋置在互连槽或过孔。基本上平坦的硬掩模，形成在互连图形上，并提供有宽度比相邻互连图形之间的空间窄的开口部分，并且由相对于绝缘膜被选择性蚀刻的材料制成。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及提供有使用大马士革工艺形成的互连图形和过孔的半导体器件。
技术介绍
近来，随着半导体器件集成度变高和芯片尺寸减小，互连结构日益变得小型化和多层化。对于形成多层或多级互连结构的方法，通常采用称做大马士革的方法或工艺。在这种大马士革工艺中，在绝缘膜中形成过孔或互连槽之后，导电材料淀积在衬底的整个表面上并通过化学机械抛光(CMP)抛光。由此，导电材料埋置在过孔或互连槽中。该工艺通常用做使用难以蚀刻处理的铜基导电材料形成多层互连结构的方法。参考图1A到1D以及2，介绍以上提到的常规大马士革工艺(在下文中称做第一常规例子)。首先，如图1A所示，在提供有MOS晶体管和类似物的半导体衬底1上，连续地淀积由SiNx或类似物制成的第一蚀刻终止膜2以及由SiO2或类似物制成的第一绝缘膜3。然后使用公知的光刻形成的抗蚀剂图形作为掩模，使用公知的干蚀刻形成穿过第一绝缘膜3和第一蚀刻终止膜2的多个第一互连槽。随后，由Ti、Ta等制成用于防止互连材料被扩散的阻挡金属膜淀积其上。此外，通过电镀或类似物在其上淀积Cu。然后，通过CMP除去淀积并形成在第一绝缘膜3上的Cu和阻挡膜，由此在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有绝缘膜的半导体器件，包括：形成在绝缘膜中的互连槽或过孔；埋置在互连槽或过孔中的互连图形或过孔；以及基本上平坦的硬掩模，形成在互连图形上，并提供有宽度比相邻互连图形之间的空间窄的开口部分，并且由相对于绝缘膜被选 择性蚀刻的材料制成。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-20 10567/20031.一种具有绝缘膜的半导体器件，包括形成在绝缘膜中的互连槽或过孔；埋置在互连槽或过孔中的互连图形或过孔；以及基本上平坦的硬掩模，形成在互连图形上，并提供有宽度比相邻互连图形之间的空间窄的开口部分，并且由相对于绝缘膜被选择性蚀刻的材料制成。2.根据权利要求1的半导体器件，其中硬掩模包括在位于硬掩模下面的互连图形的延伸方向中形成的狭缝形开口部分。3.一种具有绝缘膜的半导体器件，包括形成在绝缘膜中的互连槽或过孔；埋置在互连槽或过孔中的互连图形或过孔；第一层互连图形；形成在第一层互连图形上的第二层互连图形；形成在第二层互连图形上的第三层互连图形，通过穿过相邻的第二层互连图形之间的空间的第三到第一层互连过孔，第三层互连图形连接到第一层互连图形；以及基本上平坦的硬掩模，形成在第二互连图形上，并提供有规定第三到第一层互连过孔形状的开口部分，并且由相对于绝缘膜被选择性蚀刻的材料制成。4.根据权利要求3的半导体器件，其中硬掩模包括在位于硬掩模下面的互连图形的延伸方向中形成的狭缝形开口部分。5.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成的绝缘膜中形成互连槽或过孔；通过将含有铜和钨中至少一个的互连材料埋置在互连槽或过孔中，形成互连图形或过孔；以及形成互连图形之后，在除了宽度窄于互连图形上相邻互连图形之间空间的区域之外，形成基本上平坦的硬掩模，硬掩模由相对于绝缘膜可以被选择性蚀刻的材料制成。6.根据权利要求5的方法，其中在位于硬掩模下面的互连图形的延伸方向中，硬掩模的开口部分形成狭缝形。7.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成的绝缘膜中形成互连槽或过孔；通过将含有铜和钨中至少一个的互连材料埋置在互连槽或过孔中，形成互连图形或过孔；形成互连图形之后，在互连图形上形成第一覆盖绝缘膜；在第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：户田麻美，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]