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半导体器件具有绝缘膜。互连槽或过孔形成在绝缘膜中。互连图形或过孔埋置在互连槽或过孔。基本上平坦的硬掩模，形成在互连图形上，并提供有宽度比相邻互连图形之间的空间窄的开口部分，并且由相对于绝缘膜被选择性蚀刻的材料制成。...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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