一种半导体晶片表面清洁方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体硅晶元表面清洁方法，其步骤包括：提供一半导体晶元，用化学机械研磨方法处理半导体晶元表面；在所述半导体晶元表面形成一层光触媒溶液；以紫外光照射所述光触媒溶液。本表面清洁方法能有效清洁化学机械研磨处理后半导体晶元残留的研磨液和化学物质等杂质。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
半导体工业中，化学机械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)是抛光半导体硅晶元最佳方法之一。化学机械研磨是IBM公司在1985年发展CMOS产品时研发成功的一项技术，其目的是将晶元上凹凸起伏的介电层(Dielectric Layer)或金属层(Metal Layer)加以平坦化。化学机械研磨可以移除晶元表面的材质，使晶元表面变得更平坦，且具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶元表面达到全面性的平坦化。美国专利第6,364,744号揭示一种化学机械研磨系统和使用研磨液抛光半导体硅晶元的相关方法。该方法包括如下步骤(1)在半导体硅晶元和抛光器件之间提供相反方向的运动；(2)在半导体硅晶元和抛光器件之间照射紫外光；(3)再送研磨液入半导体硅晶元和抛光器件的间隙，研磨液包括研磨颗粒和至少一种光触媒颗粒。上述方法在研磨过程中使用光触媒是为实现提高半导体硅晶元金属层的移除速率。但是，对半导体晶元化学机械研磨以后，半导体晶元表面仍会残留一些研磨液和化学物质等污垢需要清洁。所以，提供一种清洁半导体晶元表面污本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶元表面的处理方法，其步骤包括：提供一半导体晶元，用化学机械研磨方法处理半导体晶元表面；在所述半导体晶元表面形成一层光触媒溶液；以紫外光照射所述光触媒溶液。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶元表面的处理方法，其步骤包括提供一半导体晶元，用化学机械研磨方法处理半导体晶元表面；在所述半导体晶元表面形成一层光触媒溶液；以紫外光照射所述光触媒溶液。2.如权利要求1所述的半导体晶元表面的处理方法，其特征在于光触媒溶液含有二氧化钛(TiO2)或氧化锌(ZnOx)微粒。3.如权利要求2所述的半导体晶元表面的处理方法，其特征在于二氧化钛(TiO2)或氧化锌(ZnOx)微粒尺寸范围为15～50n...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰良，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]