【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
待抛光的半导体晶片通常是硅片或具有由硅衍生的层状结构的衬底(例如 硅-锗)。所述硅片特别用于生产半导体元件，如储存器片(DRAM)、微处理器、传感器、发光二极管等等。用硅片制造尤其是储存器片和微处理器的要求越来越严格。这首先涉及硅片自身 的晶体性质(如有关缺陷密度、用于捕获金属杂质的内部吸除剂)，但是特别地还涉及晶片 的几何学和平面度。理想的是硅片具有两个完全平行面，特别是在其上要制造元件的硅晶 片的那面上有优越平面度，并且具有低的表面粗糙度。而且，期望能够利用元件面的全部区 域，这在目前由于晶片边缘的厚度下降以及边缘区域的不良几何学是不可能的。已知的是，抛光半导体晶片的传统方法造成这种塌边。所述传统方法首先包括双 面抛光(DSP)，其用供给抛光浆的抛光垫同时对半导体晶片的两面进行抛光，即去除抛光； 以及化学机械抛光(CMP)，相对比，其包括使用较软的抛光垫仅对正面(“元件面”)进行最 终抛光，即所谓的无雾抛光(“精整抛光”)。在这两种抛光方法中，均以抛光剂浆料的形式 提供磨料。在半导体晶片的抛光中相对新颖的但是在元件工业中相当长的...
【技术保护点】
一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为０．１－１．０μｍ的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的ｐＨ值为至少１１．８的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应ｐＨ值小于１１．８的抛光剂。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：J施万德纳，R柯普尔特，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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