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本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为０．１－１．０μｍ的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的ｐＨ值为至少１１．８的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应ｐ...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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