【技术实现步骤摘要】
本专利申请涉及一种，这种 方法包括使用含有固定磨料的抛光布抛光边缘。在下文中，将利用这种抛光布进行的边缘抛光縮写为FA抛光。
技术介绍
半导体晶片的边缘加工正受到越来越多的关注。希望获得具有预定边 缘形状的平滑边缘。通常，通过研磨从晶体切割的半导体晶片的粗糙边缘 制造边缘形状。为了平滑该边缘并去除切割留下的晶格损伤，需要对边缘 进行抛光。这可以使用不含固定磨料的抛光布来完成。在这种情况下，通 过含有游离磨料的浆体实现抛光。与这种边缘抛光相比(下文中简称布抛 光)，FA抛光具有的优点是避免相当复杂的浆体处理并能获得更高的产量。 相对该优点，FA抛光的缺点是抛光的边缘不够平滑。US 6,514,423 Bl建议 在FA抛光之后蚀刻边缘，从而降低其粗糙度。如上所述，除了要注意边缘的低粗糙度之外，还必须注意确保边缘的 形状符合要求。对此，可以确定，对半导体晶片的一侧或两侧进行抛光很 不利地改变了边缘的形状。另外，这个问题也不能通过改变工序链解决， 例如，如US 6,162,730中所述，仅在第一次抛光半导体晶片的两侧之后提 供边缘的布抛光。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提出一种方法，该方法使得制造具有完全符合 粗糙度和形状要求的抛光的边缘的半导体晶片成为可能。这个目的通过实现，该方法 包括抛光半导体晶片的至少一侧；并且对该经抛光的半导体晶片的边缘 进行抛光，其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。 具体实施例方式本专利技术提出可以使用FA抛光而不是使用布抛光来修正经抛光的半导 体晶片的边缘的形状。该方法适用于边缘已经实施过成形步...
【技术保护点】
一种用于制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法，包括： 抛光所述半导体晶片的至少一侧；以及 对经抛光的半导体晶片的边缘进行抛光； 其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。
【技术特征摘要】
DE 2007-11-15 102007056122.01、一种用于制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法，包括抛光所述半导体晶片的至少一侧；以及对经抛光的半导体晶片的边缘进行抛光；其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。2、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述抛光剂含有游离磨料。3、 根据权利要求1或2所述的方法，其中，抛光所述半导体晶片的至 少一侧包括双侧抛光。4、 根据权利要求3所述的方法，其中，抛光所述半导体晶片的至少一 侧包括所述双侧抛光和其后执行的单侧抛光。5、 根据权利要求4所述的方法，包括进一步抛光所述边缘，其中，在 含有游离磨料的浆体的参与下，利用不含固定磨料的抛光布对所述经抛光 的半导体晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：K勒特格，W艾格纳，M田端，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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