【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微影制程技术的曝光方法，且特别是接触孔洞(contacthole)光学邻近效应(opticalproximityeffect，OPE)和掩模及半导体装置制造方法。
技术介绍
微影制程是一种把光掩模上的图案转移到覆盖在芯片上的光阻的制程。目前，随着半导体集成电路的积体层次的快速增加，微影技术所要求的线幅宽度也越来越小，同样的，各半导体组件之间的距离也日益缩短，因此，光掩模上的透光区尺寸也随之相对缩小。然而，上述的组件间的距离在曝光制程中会因为受到光学特性的影响而有其物理上的限制。特别在形成多个接触孔洞的显影过程中，当光源经过光掩模上的多个孔洞后，其所产生的高阶绕射峰会相互干涉，而产生光学邻近效应。接触孔洞的邻近效应在设计规定(design rule)越来越小的情况下，越显现出其重要性。虽然在光掩模(photo mask)上的接触孔洞的尺寸为单一尺寸，但因图案密度的不同，而有不同的效应，造成在晶圆上的接触孔洞的尺寸不一。目前的接触孔洞的光学邻近效应修正的困难点在于未能有效的依据图案密度的不同而加以个别修正。即使能依间距(pitch)的不同而修正不...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的多个第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的多个第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；根据该些光掩模关键尺寸、该些光阻关键尺寸及该些间距的对应关系，在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及对该制程光掩模图案上的一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正，成为具有面积大致与第一次修正后的该接触孔洞接近的方形，且每一中心点维持与未修正前的该接触孔洞相同。2.根据权利要求1所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是该测试光掩模分为多个区域，每一区域对应每一该些第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且该些孔洞间具有一设定的间距，该些孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。3.根据权利要求1所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是更包括建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的对应关系；以及根据该对应关系，对该制程光掩模图案上的第一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正。4.根据权利要求1所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是该制程光掩模图案的该些接触孔洞是一透光区，该些接触孔洞之外是一非透光区和一半透光区择一。5.一种接触孔洞的制程光掩模的制造方法，其特征是包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的至少一第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的至少一第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的一第一对应关系；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及根据该第一对应关系，对第一次修正后的该制程光掩模图案的该接触孔洞进行第二次修正，以得到一制程光掩模包...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕灿，吴文彬，洪永隆，吕承恭，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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