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南亚科技股份有限公司专利技术
南亚科技股份有限公司共有2444项专利
控制内存内部开关模块的装置及其相关方法制造方法及图纸
一种控制内存开关模块的装置。该装置包含第一脉冲宽度调整单元、解码器、频率检测器与第二脉冲宽度调整单元。第一脉冲宽度调整单元接收输入指令信号并依据第一脉冲宽度调整量来调整输入指令信号的脉冲宽度以产生调整后输入指令信号,解码器接收输入地址信...
存储器控制电路与方法技术
本发明提供一种存储器控制电路,其具有:一相位检测模块,用来检测一数据频闪讯号与一时钟讯号之间的相位差;一控制模块,用来依据该相位差来产生一组控制讯号,该组控制讯号对应于该相位差;一锁存模块,用来依据该数据频闪讯号的上升缘/下降缘来锁存一...
检测存储器的工作电压来控制内部开关模块的装置及方法制造方法及图纸
一种控制存储器中的开关模块的装置。该装置包含第一脉冲宽度调整单元、解码器、第二脉冲宽度调整单元与检测器,第一脉冲宽度调整单元接收输入指令信号,并选择性地依据第一脉冲宽度调整量来调整输入指令信号的脉冲宽度以产生调整后的输入指令信号;解码器...
记忆体与其操作方法技术
本发明是有关于一种记忆体与其操作方法,本发明将多个记忆储存库分为多个记忆组,其中每个记忆组均配置独立的驱动电源,以提供操作电压至相对应的记忆储存库。本发明设定两种列对列延迟时间,分别为外部间隔时间与内部间隔时间。选取同一记忆组中的一列至...
升压电路及应用其的内存结构制造技术
当内存内的一数据储存单元在正常操作下,打开升压电路内的全部电压泵,以对电源电压进行升压。当此数据储存单元进入待机状态时,关闭升压电路内的部份电压泵,才对电源电压进行升压。如此,能降低待机电流并减少功率消耗,提高电路效率。
记忆体的读取操作控制方法技术
本发明是关于一种记忆体的读取操作控制方法,将所接收到的读取指令与地址信号分别解码为内部地址读取信号与内部地址信号,以从记忆体内的数据储存部分读出数据。接着,模拟所读出的数据成为备妥状态所需的时间或所传输的路径。当模拟结果指示数据已备妥时...
液晶显示器取向层及其制作方法技术
一种液晶显示器取向层及其制作方法,其是利用石版印刷术,制作透光率可改变的光罩,该光罩上对应不同颜色象素取向层的线条方向各不相同,用该光罩对光阻材料做渐进式光量递增或递减的曝光,再配合深蚀刻去除光阻,得到具有预倾角的取向层线条,本发明的L...
检测光罩机台修正精确度的方法技术
一种检测光罩机台修正精确度的方法,包括以下步骤:提供一光罩,该光罩上形成有一遮光层且遮光层具有一图案,该图案包括多个线条,其中每一线条具有一缺陷部。修正该些缺陷部。对每一线条量取缺陷部修正后的线条宽度以及住于缺陷部两侧的线条宽度,并计算...
内存模块测试修补方法及装置制造方法及图纸
一种内存模块测试修补方法及装置,其运用内存芯片中的备用存储单元,而于测试并发现内存模块故障时,记录其故障的内存地址,再以电气熔断方法来阻绝故障的内存地址的寻址路径,并选取一备用地址来取代,而无须再以人工方式更换出现故障的内存芯片,故可有...
光学接近修正方法技术
一种在光掩膜布局图进行光学接近修正的方法,该光掩膜布局图至少包含一个光掩膜图案,该方法包含有下列步骤: 收集预定加入该光掩膜布局图中的第一辅助图案的辅助图案修正偏差值; 结合该辅助图案修正偏差值,进行基准式光学接近修正,计算...
记忆体存取控制方法技术
利用循环冗余校验(cyclic redundancy check,CRC)来提高记忆体存取过程中的错误校验能力。在读取过程中,所读出的资料的一部分通过CRC汇流排而送出至记忆体外部;以及CRC结果与所读出的资料的其他部分则通过资料汇...
对准及叠对的标记、及其掩模结构与使用方法技术
一种对准及叠对标记,包含: 第一标记图案,包含第一图案及第二图案,该第一图案包含沿第一方向排列的多个矩形区域,该第一图案中的每一该矩形区域在第二方向的长度大于该第一方向的长度,该第一方向垂直于该第二方向,该第二图案设置于该第一图案在第二...
多重曝光方法技术
一种多重曝光方法,包括下列步骤:在光致抗蚀剂层形成具有第一及第二对边组的对应于矩形图案的矩形区域;在光致抗蚀剂层中的第一曝光区域执行第一曝光制作工艺,第一曝光区域与上述矩形区域以第一对边组的延伸方向为边界;在光致抗蚀剂层中的第二曝光区域...
光源产生装置及接触孔洞的曝光方法制造方法及图纸
一种光源产生装置及接触孔洞的曝光方法,该方法包括下列步骤:提供一曝光机台,具有一光源及一镜头,其中镜头具有一中央透光孔隙及至少一辅助透光孔隙;提供一具复数接触孔洞图案的光罩;藉由镜头,使光源透过光罩,以进行曝光;该光源产生装置包括:一光...
自动回馈修正的曝光方法与系统技术方案
一种自动回馈修正的曝光方法与系统,该方法包括以下步骤:提供一第一及第二晶圆;使用一第一参数组对第一晶圆进行一第一层图案的曝光;使用一第二参数组对第一晶圆进行一第二层图案与第一层图案的对准;对第一晶圆进行测量而取得第一及第二参数组的修正值...
利用多重曝光形成孤立线的方法技术
本发明公开了一种利用多重曝光形成孤立线的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,于上述半导体基底形成一光阻层,以图案光罩于上述光阻层定义出一第一线条图案,将上述图案光罩移动一特定距离,使得上述图案光罩于上述光阻层定义出与上述第一线条图案相...
调整聚焦位置的方法技术
一种用于半导体元件的微影制造方法中曝光步骤的聚焦方法,包括:提供一测试光罩,具有一透明基板,所述透明基板表面具有一遮光层,用以露出一相角0度透光区与一相角90度透光区,其中上述相角0度透光区与上述相角90度透光区的尺寸相同;提供一光源,...
定义防护环的光罩及其方法技术
本发明公开了一种定义防护环的光罩,其包括:一透光基底、一遮光层、以及至少一对条状辅助图案。遮光层设置于透光基底上,其具有由复数开口图案构成的矩形环,用以定义一防护环。此对条状辅助图案是依据一既定间距分别平行设置于矩形环的一边长的两侧,且...
可抵减透镜像差影响的微影方法技术
本发明提供一种可抵减透镜像差影响的微影方法,包括:提供一微影设备,其内配置有一第一光罩,其上具有至少一第一长方形图案;提供一晶圆,并藉由此微影设备,对上述晶圆施行一微影程序,其中第一光罩沿平行在其上第一长方形图案的短边方向移动,而此晶圆...
光掩模布局图制造技术
本发明公开了一种光掩模布局图案。该光掩模布局图案包含有H型图案,其包括第一直线图案、第二直线图案以及连接该第一直线图案与该第二直线图案的中间区域,其中该第一直线图案与该第二直线图案互相平行,该中间区域内设有多条类斑马线的密集线条及间隔图...
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