防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程制造技术

技术编号:3207003 阅读:151 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程,是于先进行一离子布植制程,于一深渠沟顶部开口周围的半导体硅基底的表面区域形成一离子布植区,再去除深渠沟电容器以外的氮化硅层,而后再于该离子布植区以外的该深渠沟的暴露侧壁上长成一第一氧化层。该离子布植制程是利用N↓[2]作为离子源,用来抑制该第一氧化层的成长,且该离子布植区的深度是相对应于一预定埋入带扩散区域的深度,是至少环绕该深渠沟顶部开口的一部分外围,且邻近于一预定埋入带扩散区域。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种深渠沟电容器制程,特别有关一种深渠沟的领型介电层制程,可以有效防止深渠沟的顶部尺寸扩大。
技术介绍
一个动态随机存取内存胞(DRAM cell)是由一个晶体管以及一个电容器所构成,目前的平面晶体管设计是搭配一种深渠沟电容器(deep trenchcapacitor),将三维的电容器结构制作于半导体硅基底内的深渠沟中,可以缩小存储单元的尺寸与电力消耗,进而加快其操作速度。如图1A所示,其显示习知DRAM胞的深渠沟排列的平面图。应用于折迭位线(folded bit line)结构中,每一个主动区域中包含有两条字符线WL1、WL2以及一条位线BL,其中符号DT代表一深渠沟,符号BC代表一位接触插塞。如图1B所示,其显示习知DRAM胞的深渠沟电容器的剖面示意图。一半导体硅基底10内制作有一深渠沟DT,而深渠沟DT的下方区域是制作成为一深渠沟电容器12,其乃由一埋入电极板(buried plate)、一节点介电层(node dielectric)以及一储存节点(storage node)所构成。深渠沟电容器12的制作方法如下所述。首先,利用反应性离子蚀刻(RIE)方法,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程,其特征在于包括下列步骤:    提供一半导体硅基底,其包含有一深渠沟以及一深渠沟电容器,其中该深渠沟电容器包含有一节点介电层以及一储存节点,该节点介电层是形成于该深渠沟的侧壁与底部,该储存节点是填入该深渠沟至一预定深度;    进行一离子布植制程,于该深渠沟顶部开口周围的该半导体硅基底的表面区域形成一离子布植区;    去除部分的该节点介电层,以使该节点介电层与该储存节点的顶部切齐,并暴露该深渠沟电容器以外的该深渠沟侧壁;    进行一氧化制程,于该离子布植区以外的该深渠沟的暴露侧壁上长成一第一氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程,其特征在于包括下列步骤提供一半导体硅基底,其包含有一深渠沟以及一深渠沟电容器,其中该深渠沟电容器包含有一节点介电层以及一储存节点,该节点介电层是形成于该深渠沟的侧壁与底部,该储存节点是填入该深渠沟至一预定深度;进行一离子布植制程,于该深渠沟顶部开口周围的该半导体硅基底的表面区域形成一离子布植区;去除部分的该节点介电层,以使该节点介电层与该储...

【专利技术属性】
技术研发人员:许平
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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