本发明公开了一种堆叠电容的存储电极的制作方法。该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一第一介电层、一支撑层及一第二介电层；在该第一介电层、该支撑层及该第二介电层中蚀刻出一开孔；在该第二介电层及该开孔内形成一导电层；去除该第二介电层上的该...

本发明公开了一种用于升压电路中的电容结构及其形成方法。该电容结 构包含基材、位于基材中的U形下电极、与U形下电极嵌合的T形上电极、 以及介于U形下电极以及T形上电极间的介电层。本发明使用立体的技术 手段来增加上、下极板间的接触面积，以大...

本发明提供一种存取一存储器芯片的方法，其包含有：于该存储器芯 片设置多个第一输入接脚与多个第二输入接脚；将多个列地址讯号分别输 入该多个第一输入接脚，其中每一个列地址讯号的一列地址命令分组的长 度为一频率讯号的多个频率周期，且该列地址命...

本发明公开了一种电阻式随机存取存储器结构及其制作方法。在该制作方法中，首先，形成下电极，接着，在下电极上，形成电阻层，然后，在电阻层上，形成上电极，其中上电极选自下列群组：氧化铟锡以及氧化铟锌，最后，以紫外线照射上电极。

本发明揭示一种晶体管结构、动态随机存取存储器结构及其制造方法。该动态随机存取存储器结构，其有源区域为环形柱体状，具有新颖的垂直式晶体管结构，其栅极填充于环形柱体的中空内部，上下源／漏极分别位于环形柱体的上下部。其埋入式位线位于晶体管结构...

本发明公开了一种关键尺寸补偿方法。首先，提供光源与主要光掩模。其次，提供辅助光掩模系和该主要光掩模依序排列，其包含辅助透明基板以及位于辅助透明基板中的遮蔽元件。然后，藉由光源在依序通过辅助光掩模与主要光掩模后，则可在基材中，因为该光源在...

本发明提供一种制作光掩模的方法。首先，提供一透明基板，且在透明基板上形成一填充图案层与一掩模图案层。然后，在透明基板与掩模图案层上形成一晶体材料层，使填充图案层之间填满晶体材料层。之后，移除掩模图案层以及位于掩模图案层上的晶体材料层，以...

本发明提出一种非挥发性存储单元及其制造方法，该方法包含提供一半导体基板，该半导体基板依序地具有一导电层和一间隙壁层；于该间隙壁层与该导电层中界定出至少一沟槽；于该沟槽的底部形成一第一氧化层；于该沟槽的侧壁，该第一氧化层上方以及该间隙壁层...

本发明提供一种具有光纤模块的光刻装置，包括一光源、一光罩，位于光源下方、一透镜，位于光罩下方、一基材平台，位于透镜的下方，用于承载一晶圆，其中晶圆之上包括一干膜，前述的光刻装置还包括一光纤模块，具有一前表面，其中光纤模块位于透镜下方，可...

本发明关于低电压参考电流源以及其方法。其中该低电压参考电流源，用以提供一大致上可抵抗温度变化的干扰而不随之改变的恒定电流。该低电压参考电流源包含有：一低电压能带隙电路、一启动电路，以及一电流加总器。该低电压能带隙电路，用以提供一恒定（ｃ...

本发明关于动态电压泵电路与动态产生一输出供给电压的方法。其中该动态电压泵电路，包含一第一级电压泵依据一输入供给电压与一泵信号来产生一中间供给电压；一第二级电压泵依据该中间供给电压、该泵信号与一致能信号来产生一输出供给电压，该第二级电压泵...

本发明提供一种介电物质的沉积方法，该介电物质具有一第一主元素与一第二主元素，其中该第一主元素与该第二主元素存在于一单一的前驱体中，而该沉积方法包含下列步骤：脉冲前驱体；清洗多余的前驱体；脉冲氧化剂；以及清洗多余的氧化剂。

本发明关于存储器系统与其相关方法。其中该存储器系统包含有：一存储器阵列，其包含分别由多个存储库启动信号来控制的多个存储库；一存储库选择电路用来产生该多个存储库启动信号；多个电荷泵元件耦接于该多个存储库以及该存储库选择电路之间，用来分别启...

一种用来动态致能一同步存储器中地址接收器的方法，包含有：控制全部的地址接收器于一开始时处于一关闭状态；产生一命令讯号与一地址讯号；延迟该地址讯号以使该命令讯号与该地址讯号之间有一时间延迟；以及当该同步存储器接收到该命令讯号时，选择性地开...

本发明提供一种用来检测最低工作频率的启动检测电路。该启动检测电路包含：一振荡电路，该振荡电路包含：一环型振荡器，用来产生一第一振荡讯号；以及一高通滤波器，用来过滤该第一振荡讯号以产生一第二振荡讯号。该启动检测电路亦包含一整流装置，该整流...

本发明涉及一种温度检测器及其使用方法。本发明的温度检测器包含多个比较器、一电子元件和一控制器。所述多个比较器分别负责检测不同的温度区。所述电子元件的阈值电压会随外界温度变动，且其输出连接到所述比较器。所述控制器用于在一时间内仅启动所述比...

本发明公开一种曝光的方法，用来避免曝光过程中透镜组温度升高所产生的负面影响。首先，使光束通过透镜组的第一受光区域，而将图案曝光在基材上，此时第一受光区域的温度升高。移开第一受光区域。再使光束穿过透镜组的第二受光区域，使得第一受光区域的温...

本发明公开了一种制作半导体电容元件的方法，其包含有提供一基底；在该基底上形成一碳电极层；进行一第一原子层沉积工艺，在该碳电极层的表面沉积一中间过渡阻障层；进行一第二原子层沉积工艺，在该中间过渡阻障层上沉积一金属氧化层，其中该金属氧化层与...

一种电压能阶差参考电路，包含：一第一ＮＭＯＳＦＥＴ，具有一漏极以及一源极；一第二ＮＭＯＳＦＥＴ，具有一漏极以及一源极，该第一ＮＭＯＳＦＥＴ的该源极以及该第二ＮＭＯＳＦＥＴ的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压...

一种凹入式沟道晶体管结构，包含一半导体基底；一沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出一有源区域；一栅极沟槽，设于该有源区域中，该栅极沟槽包含一垂直侧壁部分及一球型底部；一凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，该凹入式栅极包含一球型栅极下部，...