电阻式随机存取存储器结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种电阻式随机存取存储器结构及其制作方法。在该制作方法中，首先，形成下电极，接着，在下电极上，形成电阻层，然后，在电阻层上，形成上电极，其中上电极选自下列群组：氧化铟锡以及氧化铟锌，最后，以紫外线照射上电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是一种具有优选电阻转换特性的。
技术介绍
电阻式随机存取存储器(resistive random access memory, RRAM)为目前业界所研发出的众多新颖存储器之一，其利用电阻转换的特性来储存位元数据。 图1所绘示的是理想的电阻式随机存取存储器其低电阻态和高电阻态的电流-电压曲线图。如图l所示，在理想的状态下，当电阻式随机存取存储器进行数据写入(set)的过程中，随着电压升高，通过电阻式随机存取存储器的电流也会逐渐升高，也就是说，电阻式随机存取存储器的电阻会由高电阻态逐渐转换到低电阻态，而在数据抹除(reset)的过程中，随着电压升高，通过电阻式随机存取存储器的电流会发生大幅下降的现象，也是说电阻式随机存取存储器的电阻会由低电阻态转换到高电阻态。 一般来说，一个理想的电阻式随机存取存储器，其低电阻态和高电阻态的电流-电压曲线不应有重叠的现象。 然而，已知的电阻式随机存取存储器其电压对电流值会发生跳动的情况，其低电阻态和高电阻态的电流对电压曲线会发生重叠，造成元件信号判读困难。因此，目前业界急需一种具良好电阻转换特性的电阻式随机存取存储器，以确保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式随机存取存储器结构，包含：下电极；电阻层，位于该下电极上；以及上电极，位于该电阻层上，其中该上电极选自下列群组：氧化铟锡、氧化铟锌以及钯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢君毅，吴昌荣，施能泰，刘国辰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]