晶体管结构、动态随机存取存储器结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭示一种晶体管结构、动态随机存取存储器结构及其制造方法。该动态随机存取存储器结构，其有源区域为环形柱体状，具有新颖的垂直式晶体管结构，其栅极填充于环形柱体的中空内部，上下源／漏极分别位于环形柱体的上下部。其埋入式位线位于晶体管结构下方的基底内，其字线是水平配置于栅极上方，其电容结构位于字线及栅极上方，经由一节点接触与上源／漏极电性连接。节点接触具有ㄇ形盖体状，并以ㄇ形盖体状的顶面与电容结构电性连接，及以ㄇ形盖体状的侧边底部与上源／漏极电性连接，字线通过节点接触ㄇ形盖体状的中空处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种垂直式晶体管及包括此垂直式晶体管的动态随机存取存储器(dynamic random access memory, DRAM)结构及其制法。
技术介绍
随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，DRAM元件的设计也必须符合 高集成度、高密度的要求。DRAM元件包括一晶体管与一记忆存储装置。此 记忆存储装置通常是一个电容结构。沟槽式(trench)电容结构与堆叠式电容结 构即为业界所广泛采用，可有效缩小存储单元的尺寸，妥善利用芯片空间， 以制造高密度DRAM架构。一4殳而言，沟槽式电容是先在半导体基材中蚀 刻出深沟槽并于其内制成沟槽电容，再开始制造晶体管。堆叠式(stacked)电 容一般是在晶体管制作完成后，再往上堆叠制作，它有各种堆叠型式，例如 平板型(planner)、柱状型(pillar)、鳍型(fm-type)、和圆桶型(cylinder)等。晶体 管结构也有多种发展，以栅极通道(channel)区域相对于半导体基材原始表面 (primary surface)的方位来分类，可分为平面式晶体管装置(planar transistor device)与垂直式晶体管装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器结构，其特征在于包括：一基底，具有一平面及突起于该平面的一环形柱体；一晶体管结构，位于该环形柱体，包括：一栅极，填充于该环形柱体的中空内部；一上源／漏极，位于该环形柱体的上部，及一下源／漏极，位于该环形柱体的下部；一位线，位于该晶体管结构下方的该基底内，与该下源／漏极电性连接，与该栅极电性隔离；一字线，水平配置于该栅极上方，并与该栅极电性连接；及一电容结构，位于该字线及该栅极上方，并与该上源／漏极电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文魁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]