绝缘体上硅器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种绝缘体上硅（ＳＯＩ）器件及其制造方法。该器件包括由硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构构成的ＳＯＩ基板。在该硅层中界定凹槽，使埋入氧化物层暴露。阻挡层形成于各凹槽的侧壁下部。外延硅层形成以填充该凹槽，并且覆盖该阻挡层。数个栅极形成于该外延硅层上，结区形成于该栅极两侧的硅层中。在本发明专利技术中，ＳＯＩ器件的电荷存储容量改善，导致改善感测容限。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种绝缘体上硅(Silicon-on insulator, SOI)器件及其制造方 法，特别涉及一种改善SOI基板中形成的浮置体单元的感测容限及其操:作特 性的SOI器件，及该SOI器件的制造方法。
技术介绍
半导体器件持续朝高集成、高操作速度、及低功耗的方向发展。据此， 使用绝缘体上硅(SOI)基板以代替由体硅形成的硅基板的半导体器件(亦即 SOI器件)愈来愈流行，这是因为使用该SOI基板而形成的半导体器件具有 硅基板所没有的优点。这些优点的示例包括由于结电容降低引起的高速操 作、由于减低阔值电压引起的低电压要求、以及由于采用SOI基板可获得的 完全隔离而能防止拴锁现象。兹将以图示描述常规的SOI器件。SOI基板包括由硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构构成的SOI 基板。该硅基板用来支撑整个SOI器件，并且该硅层作为其上实际形成SOI 器件的一层。在该SOI基板的硅层上形成栅极，在该栅极两侧的硅层上形成结区。该结区形成，使得其下端与该埋入氧化物层接触。据此，该栅极(亦 即晶体管主体)下方的部分硅层通过该结区和埋入氧化物层隔离且由此被浮置。因此，该SOI器件具有一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘体上硅（ＳＯＩ）器件，该器件具有包括硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构的绝缘体上硅基板，该绝缘体上硅器件包括：　凹槽，被定于该硅层中，以暴露该埋入氧化物层；　阻挡层，形成于该凹槽的侧壁；　外延硅层，填充包括该阻挡层的凹槽；　栅极，形成于该外延硅层上；以及　结区，形成于该栅极的两侧的硅层中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金甫娟，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]