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本发明公开了一种绝缘体上硅（ＳＯＩ）器件及其制造方法。该器件包括由硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构构成的ＳＯＩ基板。在该硅层中界定凹槽，使埋入氧化物层暴露。阻挡层形成于各凹槽的侧壁下部。外延硅层形成以填充该凹槽，并且覆盖该阻挡层。数个...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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