多芯片堆迭封装体制造技术

本发明专利技术提供一种多芯片堆迭封装体，包括一第一线路基板、一第一芯片、一第二线路基板以及一第二芯片。第一芯片配置于第一线路基板上，且第一芯片具有一远离第一线路基板的第一有源面。第二线路基板配置于第一芯片上，第二线路基板包括一介电层、一第一线路层以及一第二线路层。第一线路层电性连接至第一芯片与第一线路基板。第二线路层电性连接至第一线路基板，且第一线路层与第二线路层分别配置于介电层的相对两侧。第二芯片配置于第二线路基板上，且电性连接至第二线路层。第二芯片具有一第二有源面，且第二有源面与第一有源面面向第二线路基板。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多芯片堆迭封装体，其特征在于，包括：　一第一线路基板；　一第一芯片，配置于该第一线路基板上，且具有一第一有源面，其中该第一有源面是朝向远离该第一线路基板的第一方向；　一第二线路基板，配置于该第一芯片上，其包括一介电层、 一第一线路层与一第二线路层，该第一线路层电性连接至该第一芯片与该第一线路基板，该第二线路层电性连接至该第一线路基板，其中该第一线路层与该第二线路层分别配置于该介电层的相对两侧；以及　一第二芯片，配置于该第二线路基板上，且电性连接至该第 二线路层，其中该第二芯片具有一第二有源面，且该第二有源面朝向该第一线路基板的第二方向，其中，该第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仁君，杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]