扫描曝光方法技术

本发明专利技术提供一种扫描曝光方法，包括：将一掩模及一基板往一方向相对移动，其中该掩模及该基板在单次照射的移动过程中，具有至少二种不同的等相对速度，以使该基板一被曝光的照射区域具有一期望尺寸。本发明专利技术的扫描曝光方法，能够减少当下一晶片的叠对测量数据往相同的方向的偏移量，也亦即能够有效改善当层与前层之间叠对偏移的程度，并降低晶片的不良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻技术，且特别涉及一种。
技术介绍
近年来，随着集成电路集成度的增加，半导体工艺设计也朝向縮小半导体元件尺寸以提高密度的方向发展。对于光刻工艺而言，由于元件尺寸日趋縮小，各层别的微距(critical dimension ;CD)遂也随之微细化，因此，层别与层别之间的叠对(overlay)品质更显重要。 对半导体晶片制造业而言，一般要确认曝光装置具有适当的工艺参数的做法是于下货前，先通过测机控片(test or monitor wafer)在该曝光装置曝光后，以叠对测量设备(overlay metrology)来测量测机控片的当层光致抗蚀剂与前层(pre layer)的叠对偏移值(overlay shift)诸项数据，经由这些数据决定曝光设备在之后对一般货进行曝光工艺的工艺参数。 然而由于测机控片的前层结构实际上与已形成多层前层的晶片货的前层结构不同，即使以相同的工艺参数进行曝光程序，测机控片与晶片货中前层与当层间的叠对偏移关系仍会有些微差距，因此无法仅以测机控片的测量数据有效的决定工艺参数。另外，在下货前须先经由测机控片测得较佳的工艺参数，如此每次执行的测机控片之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扫描曝光方法，包括：将一掩模及一基板往一方向相对移动，特征在于，其中该掩模及该基板在单次照射的移动过程中，具有至少二种不同的等相对速度，以使该基板一被曝光的照射区域具有一期望尺寸。

【技术特征摘要】
一种扫描曝光方法，包括将一掩模及一基板往一方向相对移动，特征在于，其中该掩模及该基板在单次照射的移动过程中，具有至少二种不同的等相对速度，以使该基板一被曝光的照射区域具有一期望尺寸。2. 如权利要求l所述的扫描曝光方法，特征在于，该掩模及基板的等相对速度(Vi)的决定方式，包括提供一曝光装置的历史数据，包括该曝光装置在曝光至少一先前基板时，该掩模及该先前基板在移动过程中的等相对速度(Vo);提供该先前基板的测量数据，包括该先前基板被曝光的照射区域的测量数据；以及依据该曝光装置的历史数据及该先前基板的测量数据，决定该掩模及该基板的等相对速度(Vi)。3. 如权利要求2所述的扫描曝光方法，特征在于，该基板的照射区域的期望尺寸包括该照射区域于该方向的长度(Li)。4. 如权利要求3所述的扫描曝光方法，特征在于，该先前基板的照射区域的测量数据包括该照射区域于该方向的长度(Lo)。5. 如权利要求3所述的扫描曝光方法，特征在于，该先前基板的照射区域的测量数据包括经叠对测量后所得该照射区域于该方向的长度(Lo)。6. 如权利要求4或5任一所述的扫描曝光方法，特征在于，该掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：施江林，黄浚彦，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]