用于光刻校准的方法和系统技术方案

本发明专利技术公开了一种用于光刻校准的方法和系统。一种有效的光学和抗蚀剂参数校准的方法，其基于模拟用来对具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的图像性能。所述方法包括步骤：确定用于生成模拟图案的函数，其中所述函数表征与所述光刻过程相关的过程变化；和使用所述函数生成所述模拟图案，其中所述模拟图案表示用于所述光刻过程的所述目标图案的所述图像结果。用于光刻过程的校准的系统和方法，通过该系统和方法计算用于光学系统的名义配置的多项式拟合，该系统和方法可以用来估计其它配置的临界尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种校准光刻系统的方法、一种承载用于校准光刻系统的计算机程序的计算机可读介质和一种校准方法。
技术介绍
例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，掩模可以包 含对应于所述IC的单层的电路图案，并且可以将该图案成像到已经涂覆了一层辐射敏感 材料(抗蚀剂)的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上。 通常，单个晶片将包含相邻目标部分的整个网络，所述相邻目标部分通过投影系统被一次 一个地连续辐射。在一种类型的光刻投影设备中，通过将全部掩模图案一次曝光到所述目 标部分上来辐射每一目标部分；这样的设备通常称作为晶片步进机。在可选的设备中，通 常称为步进-扫描设备，通过沿给定的参考方向("扫描"方向)在投影系统下面逐步扫描 掩模图案的同时，沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底台来辐射每一目 标部分。因为，通常情况下，投影系统将具有放大因子(magnification factor)M(通常M < l)，衬底台扫描的速度V将是掩模台扫描的速度的M倍。这里所述的更多有关光刻设备 的信息可以从(例如)US 6，046，79本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校准光刻系统的方法，包括步骤：获得使用光刻过程的配置生成的电路图案的多个测量尺寸；使用所述光刻过程的配置的模型生成所述电路图案的多个估计尺寸；对于所述电路图案中的特定图案，计算所述估计尺寸和与所述配置相关的预定义的参数之间的多项式拟合；以及基于所述多项式拟合来校准所述光刻过程，其中所述校准所述光刻过程的步骤包括使用优化算法对所述估计尺寸和测量尺寸之间的差异进行最小化的步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：叶军，曹宇，冯函英，
申请(专利权)人：睿初科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]