偏转装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种偏转装置，用于带电粒子束描绘装置，能够高准确度地校正因试样的带电效应导致的带电粒子束位置偏移。具备：偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；位置偏移量分布计算构件，根据被照射了带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及偏转器控制构件，根据位置偏移量的分布，控制偏转器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及偏转装置，更为详细地说，涉及用于带电粒子束描绘方法及带电粒 子束描绘装置的偏转装置。进一步详细地说，本专利技术涉及能够高准确度地校正因试样的 带电效应导致的带电粒子束位置偏移的偏转装置。
技术介绍
由于两次图案曝光技术的导入，因而人们要求光掩模的位置准确度的提高。与 之相伴， 一般要求光掩模内的图案配置准确度的提高，但是众所周知，当使用电子束描 绘装置来描绘光掩模的图案时，因抗蚀剂带电效应而使射束照射位置产生偏移。 作为校正该射束照射位置偏移的方法之一，在抗蚀剂层上形成带电防止膜 (CDL: Charge Dissipation Layer)来防止抗蚀剂表面带电的方法，已为众所周知。但 是，该带电防止膜因为基本上具有酸的特性，所以和化学放大型抗蚀剂之间的相合性不 佳。另外，为了形成带电防止膜需要设置新的设备，光掩模的制造成本进一步增大。因 此，人们希望在不使用带电防止膜的状况下，进行带电效应校正(CEC : charging effect correction)。 例如，在下述专利文献l中，提出了一种根据电场强度来计算射束照射位置的 校正量，并根据该校正量来照射射束本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏转装置，其特征在于，具备：　　偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；　　位置偏移量分布计算构件，根据被照射了上述带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算上述试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及　　偏转器控制构件，根据上述位置偏移量的分布，控制上述偏转器。

【技术特征摘要】
JP 2008-3-25 077008/2008;JP 2008-12-25 331585/2008一种偏转装置，其特征在于，具备偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；位置偏移量分布计算构件，根据被照射了上述带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算上述试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及偏转器控制构件，根据上述位置偏移量的分布，控制上述偏转器。2. 如权利要求1所述的偏转装置，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：中山田宪昭，和气清二，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]