偏转装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种偏转装置，用于带电粒子束描绘装置，能够高准确度地校正因试样的带电效应导致的带电粒子束位置偏移。具备：偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；位置偏移量分布计算构件，根据被照射了带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及偏转器控制构件，根据位置偏移量的分布，控制偏转器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及偏转装置，更为详细地说，涉及用于带电粒子束描绘方法及带电粒 子束描绘装置的偏转装置。进一步详细地说，本专利技术涉及能够高准确度地校正因试样的 带电效应导致的带电粒子束位置偏移的偏转装置。
技术介绍
由于两次图案曝光技术的导入，因而人们要求光掩模的位置准确度的提高。与 之相伴， 一般要求光掩模内的图案配置准确度的提高，但是众所周知，当使用电子束描 绘装置来描绘光掩模的图案时，因抗蚀剂带电效应而使射束照射位置产生偏移。 作为校正该射束照射位置偏移的方法之一，在抗蚀剂层上形成带电防止膜 (CDL: Charge Dissipation Layer)来防止抗蚀剂表面带电的方法，已为众所周知。但 是，该带电防止膜因为基本上具有酸的特性，所以和化学放大型抗蚀剂之间的相合性不 佳。另外，为了形成带电防止膜需要设置新的设备，光掩模的制造成本进一步增大。因 此，人们希望在不使用带电防止膜的状况下，进行带电效应校正(CEC : charging effect correction)。 例如，在下述专利文献l中，提出了一种根据电场强度来计算射束照射位置的 校正量，并根据该校正量来照射射束的描绘装置。根据该描绘装置，假定为在照射量分 布和带电量分布之间线性比例关系成立，从照射量分布通过线性响应函数来计算位置偏 移量分布。 然而，根据本专利技术人的进一步研究，得知若假定为在照射量分布和位置偏移量 分布之间线性比例关系成立，则无法以高准确度计算位置偏移量分布。因此，产生了 建立新模型的必要性，该新模型不使用此线性比例关系，以高准确度求取位置偏移量分 布。 专利文献1日本特开2007-324175号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于，鉴于上述课题，提供一种偏转装置，为了实现能够以高准 确度计算因带电效应导致的射束位置偏移量分布的带电粒子束描绘方法及带电粒子束描 绘装置，用于带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置，计算因试样的带电效应导致 的带电粒子束的位置偏移量的分布，根据其分布进行偏转器的控制。为了解决上述课题，本专利技术的第l方式所涉及的偏转装置的特征在于，具备 偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；位置偏移量分布计算构件，根据 被照射了带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及偏转器控制构件， 根据位置偏移量的分布，控制上述偏转器。 在上述第l方式中，也可以还具备带电量分布计算构件，利用照射在试样上 的带电粒子束的照射量分布、以及雾电子量分布，来计算照射区域及非照射区域的带电 量分布。在上述第l方式中，也可以还具备雾电子量分布计算构件，根据照射量分布 和从照射区域向非照射区域扩散的雾电子的扩散分布，计算雾电子量分布。 在上述第l方式中，也可以还具备照射量分布计算构件，根据试样的每个规 定区域的图案密度分布及剂量分布，计算照射量分布。在上述第l方式中，也可以还具备剂量分布计算构件，根据图案密度分布， 计算剂量分布。 根据该第l方式，根据照射区域以及非照射区域的带电量分布，计算试样上的 带电粒子束的位置偏移量的分布，根据该位置偏移的分布来控制偏转器，由此，能够高 准确度地校正由带电效应导致的射束位置偏移。附图说明 图1是本专利技术实施方式中电子束描绘装置100的概略结构图。 图2是表示图案描绘时试样2移动方向的附图。 图3A是说明根据本专利技术实施方式的描绘方法所用的流程图。 图3B是说明根据本专利技术实施方式的描绘方法所用的流程图。 图4是表示按照图案密度使剂量产生变化的情形和与图案密度无关而固定剂量 的情形的附图。 图5是说明栅格匹配的流程所用的概略图。 图6是说明根据相对于本专利技术实施方式的比较例的位置偏移量分布的计算方法 所用的附图。 图7是表示描述扩散分布的函数g' (x， y)的附图。 图8是表示为了计算响应函数所假定的模型的附图。 图9A是表示比较例的验证时所提供的1次阶梯函数的附图。 图9B是表示根据比较例求出的位置偏移量分布p(x)的附图。 图10是表示比较例的验证时求出的线性响应函数R1(X)和理想的响应函数R2(X) 的附图。 图11是表示用来测量抗蚀剂带电效应的测试布局的附图。 图12是放大表示第1及第2方框阵列的附图。 图13A是表示图案密度为100 %的照射垫(irradiation pad)的附图。 图13B是表示图案密度为75%的照射垫的附图。 图13C是表示图案密度为50%的照射垫的附图。 图13D是表示图案密度为25%的照射垫的附图。 图14A是表示对于化学放大型抗蚀剂A的位置偏移的测量结果的概略图。 图14B是表示对于化学放大型抗蚀剂B的位置偏移的测量结果的概略图。位置偏移量。。15B是图示抗蚀剂A、 15C是图示抗蚀剂A、 15D是图示抗蚀剂A、 16A是图示抗蚀剂B、 16B是图示抗蚀剂B、 16C是图示抗蚀剂B、 16D是图示抗蚀剂B、 17A是图示抗蚀剂C、 17B是图示抗蚀剂C、 17C是图示抗蚀剂C、 17D是图示抗蚀剂C、14C是表示对于化学放大型抗蚀剂C的位置偏移的测量结果的概略图。 15A是图示抗蚀剂A、图案密度25X时的X方向的位置偏移量的附图。图案密度50%时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度75%时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度100 %时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度25%时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度50 %时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度75%时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度100%时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度25%时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度50 %时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度75%时的X方向的位置偏移量的附图。 图案密度100%时的X方向的位置偏移量的附图。 18是表示对于抗蚀剂A，图案密度P为25%并且剂量D为21 ii C/cm2时的 和图案密度P为100X并且剂量D为5.25ii C/cm2时的位置偏移量的附图。 19A是表示照射区域的带电量分布的函数的附图。 19B是表示非照射区域的带电量分布的函数的附图。 20是说明求取参数c。、 Cl、 c^的最佳组合的方法所用的附图。 21A是表示抗蚀剂A、图案密度25 %时的拟合结果的附图。图案密度50%时的拟合结果的附图。 图案密度75%时的拟合结果的附图。 图案密度100%时的拟合结果的附图。 图案密度25%时的拟合结果的附图。 图案密度50%时的拟合结果的附图。 图案密度75%时的拟合结果的附图。 图案密度100%时的拟合结果的附图。 图案密度25%时的拟合结果的附图。 图案密度50%时的拟合结果的附图。 图案密度75%时的拟合结果的附图。 图案密度100%时的拟合结果的附图。o的最佳组合的附图。 o的最佳组合的附图。21B是表示抗蚀剂A、 21C是表示抗蚀剂A、 21D是表示抗蚀剂A、 22A是表示抗蚀剂B、 22B是表示抗蚀剂B、 22C是表示抗蚀剂B、 22D是表示抗蚀剂B、 23A是表示抗蚀剂C、 23B是表示抗蚀剂C、 23C是表示抗蚀剂C、23D是表示抗蚀剂C、 24A是表示对于抗蚀剂A的参数c。、 Cl本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏转装置，其特征在于，具备：　　偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；　　位置偏移量分布计算构件，根据被照射了上述带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算上述试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及　　偏转器控制构件，根据上述位置偏移量的分布，控制上述偏转器。

【技术特征摘要】
JP 2008-3-25 077008/2008;JP 2008-12-25 331585/2008一种偏转装置，其特征在于，具备偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；位置偏移量分布计算构件，根据被照射了上述带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算上述试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及偏转器控制构件，根据上述位置偏移量的分布，控制上述偏转器。2. 如权利要求1所述的偏转装置，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：中山田宪昭，和气清二，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]