【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种用于4F2动态随机存取存储器的单边存取装置，特别是关于一种单边T栅极鳍式场效应晶体管(single-gate FinFET)及其制造方法,提供较佳的组件控制特性及存取驱动电流特性。
技术介绍
众所周知，动态随机存取存储器为一种随机存取存储器，其将每一位的数据存入集成电路的电容器中。一般而言，动态随机存取存储器以方形阵列排列，每存储器单元由一晶体管及一电容器所构成。晶体管作为一开关装置，包含了一栅极以及其下的一硅质沟道区域。硅质沟道区域则位于一对源/漏极区域之间的半导体衬底中，而栅极藉由控制所述硅质沟道区域使源/漏极区域电连接。 目前，垂直式双栅极鳍式场效应晶体管已发展用于下一4F2动态随机存取存储器技术世代，其中F代表光刻工艺的最小线宽。然而，在尝试制造垂直式双栅极场效应晶体管装置的庞大阵列以应用于半导体动态随机存取存储器时，维持装置的适当效能及组件特性方面却有其困难性。举例来说，随着两相邻的字符线间距持续地缩小，动态随机存取存储器制造者在缩小存储单元面积时面临到严峻挑战。对于高速操作的动态随机存取存储器应用而言，当两个排列非常靠近的字符线间距...
【技术保护点】
一种单边存取装置，其特征在于，包含：一主动鳍式结构，具有一源极区域以及一栅极区域；一绝缘层，介于所述源极区域以及所述漏极区域之间；一沟渠绝缘结构，设置于所述主动鳍式结构的一侧；一单边侧壁栅电极，设置于所述主动鳍式结构相对于所述沟渠绝缘结构的另一侧，使所述主动鳍式结构夹置于所述沟渠绝缘结构以及所述单边侧壁栅电极之间；以及一栅极突出部，自所述单边侧壁栅电极横向且电性延伸并嵌入于所述源极区域以及所述漏极区域之间的所述绝缘层下方。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：希亚姆·苏尔氏，杨胜威，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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