【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种分段式的。
技术介绍
随着组件尺寸持续缩减，微影曝光分辨率相对增加，伴随着曝光景深的缩减，对于芯片表面的高低起伏程度的要求更为严苛。因此在进入深次微米的过程时，芯片的平坦化就依赖化学机械研磨过程来完成，它独特的非等向性磨除性质除了用于芯片表面轮廓的平坦化之外，亦可应用于垂直及水平金属内联机的镶嵌结构的制作、前段过程中组件浅沟渠隔离制作及先进组件的制作、微机电系统平坦化和平面显示器制作等。化学机械研磨主要是利用研衆中的化学助剂(reagent),在晶圆的正面上产生化学反应，形成易研磨层，再配合晶圆在研磨垫上，藉由研衆中的研磨粒(abrasiveparticles)辅助的机械研磨,将易研磨层的突出部份研磨,反复上述化学反应与机械研磨，即可形成平坦的表面。然而，当使用疏水性研磨垫对基材进行化学机械研磨时，会在疏水性研磨垫上累积界面活性剂等副产品，而降低研磨速率。
技术实现思路
本专利技术提供一种，其可有效提升在使用疏水性研磨垫时的研磨 效率。本专利技术提出一种，其适用于在化学机械研磨机中使用疏水性研磨垫对基材进行研磨，且此包括下列步骤。首先...
【技术保护点】
一种化学机械研磨方法，其适用于在一化学机械研磨机中使用一疏水性研磨垫对一基材进行研磨，且该化学机械研磨方法包括：对该基材进行一第一化学机械研磨过程；对该疏水性研磨垫进行一第一清洗过程；以及对该基材进行一第二化学机械研磨过程，其特征在于该第一化学机械研磨过程、该第一清洗过程与该第二化学机械研磨过程为依序进行。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖建茂，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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