形成自我对准的套准标记的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成自我对准的套准标记的方法，首先提供位在基材上的一第一区域、一第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的主要特征。第一区域界定出一第一边界而第二区域界定出一第二边界。其次，形成一截切掩膜层分别覆盖第一区域与第二区域并同时又裸露主要特征。然后，判定截切掩膜层是否与第一边界或第二边界自我对准，而建立一自我对准套准标记。继续，当截切掩膜层与第一边界或第二边界自我对准时，进行一主要特征的刻蚀步骤将主要特征转移到基材上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大致涉及一种形成相对于基材上先前所形成的关键特征(criticalfeature)的自我对准式掩膜的方法,特别是针对形成与先前所得的关键特征有关的非关键掩膜层的方法，并判定此非关键的掩膜层是否自我对准于先前所形成的关键特征，并同时作为自我对准的套准标记的方法。
技术介绍
以硅材为基础的芯片制备方法通常会涉及到多种的光刻加工步骤。在其中的每个步骤里会将具有一个固定尺寸的特殊图案印在晶圆上。在处理过所有的特殊图案后就可以制造出一个完整的工作电路。将每一个特殊图案在一定的误差范围内套准(overlay)在之前所预先形成好的参考用特殊图案上是一件非常关键的事，如此，电子电路才能作用。这样的误差范围幅度被称为是 一种套准规范。套准测量框(registration box)是用来测量某一层和其它层之间的套准状况。套准测量框通常会有两个部位用于套准测量(overlay measurement)中:其中的一例就是用来定位先前参考层(prior reference layer,也就是前层)的印刷外框，以及一个用来定位当层的印刷内框。经由测量内框及外框之间Y方向上和X方向上距离的动作就可以进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，包含：提供位在一基材上的一第一区域和一第二区域，和位于所述第一区域和所述第二区域之间且位于所述基材上的一主要特征，其中所述第一区域界定出一第一边界，而所述第二区域界定出一第二边界；形成一截切掩膜层以分别覆盖所述第一区域与所述第二区域，其中所述截切掩膜层裸露出所述主要特征；判定所述截切掩膜层是否与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一者自我对准，而建立出一自我对准的套准标记；以及当所述截切掩膜层与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一个自我对准时，进行一主要特征的刻蚀步骤将所述主要特征转移至所述基材。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：维奈·奈尔，戴维·普拉特，克里斯托弗·侯克，理查德·豪斯利，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：