双重图案化的方法技术

本发明专利技术提供一种双重图案化的方法。首先，提供基底，此基底包括第一区及第二区。接着，在基底上形成目标层。然后，在目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层，此第一图案化的光致抗蚀剂层在第一区具有多个开口，并且在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层至少有一部分的厚度小于在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的厚度。之后，在第一开口之中以及第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。本发明专利技术提供的双重图案化的方法仅利用一道光罩工艺即可在基底的第一区及第二区上形成具有不同厚度的第一图案化的光致抗蚀剂层，此举使得第二光致抗蚀剂层在整个第一区上具有均匀的厚度，以得到良好的曝光显影环境。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种。首先，提供基底，此基底包括第一区及第二区。接着，在基底上形成目标层。然后，在目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层，此第一图案化的光致抗蚀剂层在第一区具有多个开口，并且在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层至少有一部分的厚度小于在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的厚度。之后，在第一开口之中以及第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。本专利技术提供的仅利用一道光罩工艺即可在基底的第一区及第二区上形成具有不同厚度的第一图案化的光致抗蚀剂层，此举使得第二光致抗蚀剂层在整个第一区上具有均匀的厚度，以得到良好的曝光显影环境。【专利说明】
本专利技术是有关于一种积体电路制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
随着集成电路产业的快速发展，在要求电路集成化愈来愈高的情况下，整个电路元件尺寸也必须缩小，且对微影处理的解析度(resolution)的要求也提高。目前，为了克服微影处理中光源解析度的限制，发展了一种双重图案化处理，以增加元件的集成度。在双重图案化处理中，通过在罩幕层上依序进行两次光致抗蚀剂涂布、曝光以及显影步骤，以将两组不同的图案转移到罩幕层上。通常，在进行第二组光致抗蚀剂涂覆时，由于基板的晶胞区及周边区上第一组光致抗蚀剂图案分布密度不均，因而造成光致抗蚀剂涂覆不均匀的现象，进而影响后续的工艺。因此，急需一种在双重图案化工艺中可均匀涂覆光致抗蚀剂的改善方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种，用以增加光致抗蚀剂覆盖均匀性。本专利技术提出一种，此方法先提供包括第一区及第二区的基底。接着，在基底上形成目标层。然后，在目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层。第一图案化的光致抗蚀剂层在第一区具有多个第一开口且具有第一厚度，而在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层至少有第一部分的第二厚度小于在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的第一厚度。之后，在多个第一开口之中以及第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。在本专利技术一实施例中，上述第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层还包括紧邻第一区的第二部分，第二部分的第三厚度大于第一部分的第二厚度，且第二部分与第一部分连续。在本专利技术一实施例中，上述的第二部分的第三厚度等于在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的第一厚度。在本专利技术一实施例中，上述的第一图案化的光致抗蚀剂层的形成方法包括下列步骤。首先，在基底上形成第一光致抗蚀剂层。接着，以第一光罩为罩幕，对第一光致抗蚀剂层进行曝光，其中第一光罩对应第二区的透光率低于对应第一区的多个第一开口的透光率。继之，显影第一光致抗蚀剂层，以形成第一图案化的光致抗蚀剂层。在本专利技术一实施例中，上述的第一光罩包括三调式光罩。在本专利技术一实施例中，上述的三调式光罩包括透明基板、第一半透光层及第二半透光层。透明基板包括第三区及第四区，其中第三区对应基板的第一区，且第四区对应基板的第二区。第一半透光层是位于透明基板的第三区与第四区上。第二半透光层至少位于第三区中的第一半透光层上。另外，在第三区上的第一半透光层以及第二半透光层具有多个第二开口，这些第二开口对应基底的第一区上的多个第一开口，且裸露出第三区中的透明基板。在本专利技术一实施例中，上述的透明基板、第一半透光层与第二半透光层的透光率彼此不同。在本专利技术一实施例中，上述的透明基板的透光率高于第一半透光层的透光率，且第一半透光层的透光率高于第二半透光层的透光率。在本专利技术一实施例中，上述第一半透光层的透光率为20%至60%，而第二半透光层的透光率为30%至70%。在本专利技术一实施例中，上述透明基板的材料例如是石英。在本专利技术一实施例中，上述的第一半透光层及第二半透光层包括氮化硅钥(MoSixNy)层，其具有不同的X及y的组合。在本专利技术一实施例中，上述在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的至少第一部分的第二厚度是第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的第一厚度的30%至70%。在本专利技术一实施例中，上述在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的第一部分的第二厚度与第二光致抗蚀剂层的厚度的总和是第一区上的第二光致抗蚀剂层的厚度的85% 到 95%。在本专利技术一实施例中，上述在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的第一部分的第二厚度与第二光致抗蚀剂层的厚度的总和与第一区上的第二光致抗蚀剂层的厚度差为50埃至150埃。在本专利技术一实施例中，上述的，还包括下列步骤。首先，图案化第二光致抗蚀剂层，以在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一开口中形成第二图案化的光致抗蚀剂层。接着，以第一图案化的光致抗蚀剂层以及第二图案化的光致抗蚀剂层为罩幕，图案化目标层。在本专利技术一实施例中，上述的第一区例如是晶胞区，且第二区例如是周边区。基于上述，本专利技术所提出的利用一道光罩工艺即可在基底的第一区上及第二区上形成具不同厚度的第一图案化的光致抗蚀剂层，从而使得第二光致抗蚀剂层可均匀地覆盖在整个第一区上，以得到良好的曝光显影环境及准确的转移图案，并降低工艺复杂度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1A到图1E为根据本专利技术的第一实施例所示出的双重图案化的制造流程剖面图；图2A到图2C为根据本专利技术的第二实施例所示出的双重图案化的制造流程剖面图。附图标记说明:20,40:光罩；100:基底；102:第一区；104:第二区；106:目标层；107:第一光致抗蚀剂层；108,308:第一图案化的光致抗蚀剂层；109、309、212、412:开口；110,310:第二光致抗蚀剂层；112、312:第二图案化的光致抗蚀剂层；200、400:透明基板；202,402:第三区；204、404:第四区；208,408:第一半透光层；210,410:第二半透光层；Da、Db、Dc、DcU Da，、Db，、Dc，、Dd，、De，:厚度；Dc-d、Dc’ _d’:厚度差。【具体实施方式】图1A到图1E为根据本专利技术的第一实施例所示出的双重图案化的制造流程剖面图。首先，请参照图1A，提供基底100，其具有第一区102及第二区104。此基底100例如是硅基底。在一实施例中，第一区102例如是晶胞区，而第二区104例如是周边区。继之，在基底100上形成目标层106。此目标层106的材料例如是导体材料、半导体材料或介电层材料。接着，请参照图1B，在目标层106上形成第一光致抗蚀剂层107。第一光致抗蚀剂层107的形成方法包括旋涂法。第一光致抗蚀剂层107的材料例如是正型或负型的光致抗蚀剂材料。所使用的光致抗蚀剂材料种类需配合所使用的光罩形式，在此实施例中以正光致抗蚀剂为例进行说明，但本专利技术并不此为限。然后，请参照图1C，以光罩20为罩幕对第一光致抗蚀剂层107进行曝光处理，再进行显影处理，以形成第一图案化的光致抗蚀剂层108。第一图案化的光致抗蚀剂层108在第一区102上具有多个开口 109，且第二区104上的第一图案化的光致抗蚀剂层108的厚度Db小于在第一区102上的第一图案化的光致抗蚀剂层108的厚度Da。在一实施例中，第二区104上的第一图案化的光致抗蚀剂层108的厚度Db约为第一区102上的第一图案化的光致抗蚀剂层108厚度Da的30%至70%。应注意，附图仅作为说明之用，并非用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双重图案化的方法，其特征在于，包括：提供一基底，上述基底包括第一区及第二区；在上述基底上形成目标层；在上述目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层，上述第一图案化的光致抗蚀剂层在上述第一区具有多个第一开口且具有第一厚度，而在上述第二区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层至少有第一部分的第二厚度小于在上述第一区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一厚度；以及于上述第一开口之中以及上述第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李镇玮，刘弘仁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71