形成图案的方法技术

本发明专利技术公开一种形成图案的方法。首先，提供N种不同的光掩模图案。然后，以至少N-1种不同波长的光源，将所述N种不同的光掩模图案转移到硬掩模层上，形成硬掩模图案，其中所述至少N-1种不同波长的光源之一为波长是193nm的光源，且N为大于等于3的整数。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种。首先，提供N种不同的光掩模图案。然后，以至少N-1种不同波长的光源，将所述N种不同的光掩模图案转移到硬掩模层上，形成硬掩模图案，其中所述至少N-1种不同波长的光源之一为波长是193nm的光源，且N为大于等于3的整数。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体制作工艺，且特别是涉及一种。
技术介绍
随着半导体组件堆积密度的增加，制造组件关键尺寸(⑶)的要求也愈来愈严苛。为能制作出小尺寸的组件，利用先进的光刻技术来进行图案化是必然的趋势。然而，如果所有的光刻制作工艺都通过先进的光刻技术来执行，不但必须耗费高额的购置新机台的成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，可以将较为低阶的旧机台再利用，结合先进光刻技术来形成所需的图案。 本专利技术的再一目的在于提供一种，可以减少制造的成本。 为达上述目的，本专利技术提出一种。首先，提供N种不同的光掩模图案。然后，以至少N-1种不同波长的光源，将所述N种不同的光掩模图案转移到硬掩模层上，形成硬掩模图案，其中所述至少N-1种不同波长的光源之一为波长是193nm的光源，且N为大于等于3的整数。 依照本专利技术一实施例，上述至少N-1种不同波长的光源之另一为波长为436nm (G线)的光源、波长为365nm (I线)的光源、波长为248nm的光源或波长短于193nm的光源，N为大于等于3的整数。 依照本专利技术一实施例，上述硬掩模图案具有至少N-1种不同线宽的图案。 依照本专利技术一实施例，上述硬掩模图案包括第一硬掩模图案与第二硬掩模图案，其中所述第一硬掩模图案的尺寸小于所述第二硬掩模图案的尺寸。 依照本专利技术一实施例，上述还包括在所述硬掩模层上形成一牺牲层，其中所述第一硬掩模图案的形成方法包括:以第一光掩模以及第一光源在所述牺牲层上形成第一图案化的掩模层，其中所述第一光源为波长是193nm的光源；进行第一蚀刻制作工艺，将第一图案化的掩模层的图案转移到所述牺牲层，以形成至少一轴心图案；在所述轴心图案周围形成一间隙壁回路；移除所述轴心图案；以第二光掩模以及第二光源形成第二图案化的掩模层，所述第二图案化的掩模层具有开口，裸露出所述轴心图案末端处的部分所述间隙壁回路；以所述第二图案化的掩模层为掩模，进行第二蚀刻制作工艺，切断所述间隙壁回路，以形成多数个间隙壁；以及，以所述间隙壁为掩模，对所述硬掩模层进行第三蚀刻制作工艺，以形成所述第一硬掩模图案。 依照本专利技术一实施例，上述第二硬掩模图案的形成方法包括:以第三光掩模与第三光源在所述硬掩模层上形成第三图案化的掩模层；以及，以所述第三图案化的掩模层为掩模，对所述硬掩模层进行所述第三蚀刻制作工艺，以形成所述第二硬掩模图案。 依照本专利技术一实施例，形成所述第三图案化的掩模层的步骤在所述第二蚀刻制作工艺之后进行。 依照本专利技术一实施例，形成所述第三图案化的掩模层的步骤在形成所述第二图案化的掩模层之前进行。 依照本专利技术一实施例，上述第二硬掩模图案与第一硬掩模图案相邻且接触。 依照本专利技术一实施例，上述硬掩模图案还包括第三硬掩模图案，所述第三硬掩模图案与所述第一硬掩模图案相隔一距离。 依照本专利技术一实施例，上述第二硬掩模图案与所述第一硬掩模图案相隔一距离。 依照本专利技术一实施例，上述还包括以所述硬掩模图案为掩模，将所述硬掩模图案下方的材料层图案化。 本专利技术另提出一种。首先，将材料层的目标图案拆分成多数个局部图案。然后，以第一光源来形成所述局部图案中关键尺寸最小的第一局部图案之间的轴心图案，并以至少一第二光源来形成所述局部图案中的至少一第二局部图案，其中所述的第一光源的波长小于所述第二光源的波长，所述第一光源与所述第二光源的其中之一为波长是193nm的光源。 依照本专利技术一实施例，所述第一光源与所述第二光源的其中之另一为波长为436nm (G线)的光源、波长为365nm (I线)的光源、波长为248nm的光源或波长短于193nm的光源。 本专利技术又提出一种。首先，将材料层的目标图案拆分成多数个局部图案。然后，以湿式193nm光源来形成所述局部图案中关键尺寸最小的第一局部图案之间的轴心图案，并以至少一干式光源来形成所述局部图案中的至少一第二局部图案。 依照本专利技术一实施例，所述干式光源为干式193nm光源、干式435nm光源、干式365nm光源或干式248nm光源。 基于上述，本专利技术实施例的，可以将旧的机台再利用，结合先进光刻技术来形成所需的图案，减少制造的成本。 为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。 【专利附图】【附图说明】 图1A至图1H是绘示依照本专利技术第一实施例的一种的俯视图； 图2A至图2H是绘示图1A至图1H切线1_1的剖面示意图； 图3A至图3H是绘示依照本专利技术第二实施例的一种的俯视图； 图4A至图4H是绘示图3A至图3H切线I1-1I的剖面示意图； 图5至图7分别为第一光掩模、第二光掩模以及第三光掩模的示意图； 图8为本专利技术第一实施例的的局部流程图； 图9为本专利技术第二实施例的的局部流程图；以及 图10为本专利技术实施例的图案化的材料层的局部图案组成示意图。 【具体实施方式】 本专利技术利用不同的波长的光源来进行数个光掩模图案的曝光制作工艺，以将上述光掩模图案转移到芯片上。 图10为本专利技术实施例的图案化的材料层的局部图案组成示意图。 请参照图10，本专利技术将欲形成的图案化的材料层1ld的目标图案拆分成多个局部图案，包括图案101a、101b、101c。其中图案1laUOlb为块状图案；图案1lc为具有一个转角的条状图案(即L型图案)。图案1la与图案1lc相隔一距离；图案1lb则与图案1lc相邻且接触。依照芯片上的图案101a、101b、1lc的关键尺寸的大小来选择使用具有所需要波长的光源并设计所需的光掩模来形成各个局部图案(图案101a、101b、101c)，即可组成最终所欲形成的图案化的材料层1ld的目标图案。 更详细地说，具有最小的关键尺寸的局部图案(图案1lc)可以使用最先进的曝光机台形成轴心图案IlOa并配合间隙壁的制作工艺以及切断间隙壁回路的制作工艺来形成；而具有较大的关键尺寸的局部图案(图案1laUOlb)则可以再利用较为低阶的曝光机台来形成。 以下举两个实施例来说明本专利技术的。 图1A至图1H是绘示依照本专利技术第一实施例的一种的俯视图。图2A至图2H是绘示图1A至图1H切线1-1的剖面示意图。图5至图7分别为第一光掩模、第二光掩模以及第三光掩模的示意图。图8为本专利技术第一实施例的的局部流程图。 请参照图1A与图2A，在衬底100上依序形成材料层101、硬掩模层108以及牺牲层110。衬底100可以是半导体衬底，例如是含硅的衬底。材料层101可以是介电层、导体层或是其它待图案化的膜层。在另一实施例中，衬底100上也可以没有材料层101，衬底100为待图案化层，而是直接形成硬掩模层108以及牺牲层110。硬掩模层108可以是单层或多层结构。在本实施例中，硬掩模层108由下而上包括第一氧化层102、氮化层104以及第二氧化层106。第一氧化层102包括氧化硅。氮化层104包括氮化硅。第二氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成图案的方法，其特征在于包括:提供N种不同的光掩模图案；以及以至少N‑1种不同波长的光源，将所述N种不同的光掩模图案转移到硬掩模层上，形成硬掩模图案，其中所述至少N‑1种不同波长的光源之一为波长是193nm的光源，且N为大于等于3的整数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71