图案形成方法技术

本发明专利技术涉及一种图案形成方法，该图案形成方法具有：第1工序，在具有显示防液性的凹部和显示亲液性的凸部的凹凸结构体上按照覆盖凹部和凸部的方式形成表面平坦的膜；和第2工序，使膜干燥从而形成图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种，该具有：第1工序，在具有显示防液性的凹部和显示亲液性的凸部的凹凸结构体上按照覆盖凹部和凸部的方式形成表面平坦的膜；和第2工序，使膜干燥从而形成图案。【专利说明】
本专利技术涉及控制防液性和亲液性而形成图案的，特别是涉及防止产 生液膜的排斥而形成表面平坦的图案的。
技术介绍
近年来，电子电路的布线和基板上形成电气布线图案等微细图案的技术受到关 注。在该微细图案的形成中，例如使用喷墨方式的液体喷出头（喷墨头）。这种情况下，从 喷墨头滴注使金属颗粒或树脂颗粒扩散后的液体而描绘出图案，通过加热等使其固化，从 而形成电气布线图案。 另外，现在还进行：在PET或PEN等柔性基板（支撑体）上形成防液性的膜，在此 基础上，在上述电子电路的布线和基板上形成电气布线图案等微细图案。它们在薄膜晶体 管（以下称为TFT)的栅电极、源电极、漏电极的形成中正在被采用。 在专利文献1中，公开了由基板、润湿性变化层、导电层、半导体层构成的层积结 构体。润湿性变化层是通过赋予热、紫外线、电子射线、等离子体等能量而使得临界表面张 力（也称作表面自由能）发生变化，润湿性变化层中形成有临界表面张力（表面自由能） 相对较大的高表面能部和临界表面张力（表面自由能）相对较小的低表面能部。高表面能 部中形成有导电层，按照至少与低表面能部接触的方式设置有半导体层。 需要说明的是，润湿性变化层通过照射紫外线而被赋予能量从而变为高表面能 部，同时产生轻微减膜。因该减膜导致在高表面能部与低表面能部的边界线上产生阶差，如 同形成围堰。 在专利文献1中，为了形成导电层，通过喷墨将亲液性的油墨喷出至作为亲液面 的高表面能部。此时，亲液性的油墨着落并润湿扩展。但是，在专利文献1中，通过在高表面 能部与低表面能部的边界形成三维的阶差，由此可以防止油墨越出至低表面能部的区域。 其结果是可以使图案（导电层）的边缘形状良好，可以制作特性一致的电子元件。 如专利文献1中所公开那样，使用通过赋予紫外线等能量而变为亲液性（高表面 能部）、同时膜厚减少的亲疏水转换层（润湿性变化层）来形成图案（导电层）时，可以按 照以下所述形成图案（导电层）。 首先，如图13(a)所示，在支撑体120上形成原本具有防液性的亲疏液转换层122。 然后，对亲疏液转换层122例如照射紫外线从而形成防液部122a和亲液部122b。由于该 紫外线照射，在防液部122a与亲液部122b之间产生阶差。若在这样的状态下以均匀的厚 度形成成为图案（导电层）的液膜124,则仿效阶差在液膜124的表面也产生阶差。因此， 会形成表面不平坦的液膜124。对于该表面不平坦的液膜124,其表面反映了基底的防液部 122a与亲液部122b之间的阶差。 然后，液膜124在防液部122a被排斥开，从而形成如图13(b)所示的图案（导电 层）126。 另外，如图14(a)所示，在支撑体120上形成原本具有防液性的亲疏液转换层122。 然后，对亲疏液转换层122例如照射紫外线从而形成防液部122a和亲液部122b。这种情况 下，在防液部122a与亲液部122b之间没有阶差而是平坦的。若在这样的状态下，以均匀的 厚度形成成为图案（导电层）的液膜124,则形成表面平坦的液膜124。 然后，液膜124在防液部122a被排斥开，形成如图14(b)所示的图案（导电 层）126。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2009-26901号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题 以往如上所述形成图案（导电层）。但是，在图13(b)和图14(b)的结构体上进 一步形成绝缘膜等时，对于该绝缘膜的形成方法没有进行任何考虑。因此，在图13(b)和图 14(b)的结构体上形成绝缘膜时，绝缘膜仿照结构体的表面形状而形成，绝缘膜的表面并不 平坦。在该不平坦的绝缘膜上形成布线、电极等时，存在不能得到规定的形状精度、位置精 度这样的问题点。并且，存在为了使绝缘膜的表面平坦要增加多余的工序这样的问题点。 将这样的应用于例如TFT的制造中时，无法得到高生产率，进而不 能以规定的精度制造 TFT。 本专利技术的目的在于提供可消除基于上述现有技术的问题点的、维持规定的精度、 且生产率优异的。 用于解决问题的手段 为了实现上述目的，本专利技术提供一种，其特征在于，该 具有：第1工序，在具有显示防液性的凹部和显示亲液性的凸部的凹凸结构体上按照覆盖 凹部和凸部的方式形成表面平坦的膜；和第2工序，使膜干燥从而形成图案。 例如，膜为具有亲液性的膜、具有防液性的膜和具有亲疏液性转换功能的亲疏液 性转换膜中的任一种。 亲疏液性转换膜优选为被紫外线照射了的区域变为亲液性且膜厚减少的膜。 优选凸部由电气布线或半导体用的电极构成，凹部由形成有电气布线或半导体用 的电极的支撑体或绝缘层构成。并且，例如，图案为绝缘层。 将表面张力设定为〇 (N/m)、将膜厚设定为δ (m)、将由显示防液性的凹部和显示 亲液性的凸部构成的凹凸的间距设定为P(m)、将哈梅克（Hamaker)常数设定为aH(J)时，膜 优选使用满足σ >0. δ^Χ |%卜°22的涂布液来形成。显示防液性的凹部和显示 亲液性的凸部构成线与间隙图案（line and space pattern)时，凹凸的间距为1条线的宽 度和1个间隙的宽度的合计宽度。 例如，在第1工序中，使用喷墨法，使显示防液性的凹部中的滴注量多于显示亲液 性的凸部来形成表面平坦的膜。 专利技术效果 根据本专利技术，为了形成图案，在具有显示防液性的凹部和显示亲液性的凸部的凹 凸结构体上按照覆盖凹部和凸部的方式形成表面平坦的膜时，则抑制了膜的排斥的产生， 该膜维持了其表面的平坦性，形成大致平坦的图案。进一步，在该图案上形成布线、电极等 时，由于在平坦面上形成，因而关于形状精度、位置精度容易维持规定的精度。进一步，无需 使膜变得平坦，不需要多余的工序，还能够提高生产率。因此，将本专利技术应用于制造 TFT时， 例如，能够提高源电极与漏电极之间的距离的精度，能够以高精度形成薄膜晶体管。由此， 能够制造提高生产率且品质良好的TFT。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示在本专利技术的实施方式的中所使用的图案形成装置的一 个示例的示意图。 图2中，（a)是表示在本专利技术的实施方式的中使用的形成了第1膜 的基板的示意性俯视图；(b)是表示在中使用的形成了第1膜的基板的示意 性截面图。 图3中，（a)?（f)是按照工序顺序表示本专利技术的实施方式的的示 意性截面图。 图4是用于说明表面张力与排斥的关系的图。 图5是表示使用本专利技术的实施方式的而形成的薄膜晶体管的一个 示例的示意性截面图。 图6中，（a)是用于说明液膜的排斥的示意图；(b)是表示液膜的排斥的第1分析 模型的示意性立体图；（c)是表示第1分析模型中的排斥所导致的液膜膜厚的变化的示意 性立体图。 图7中，（a)是表示液膜的排斥的第2分析模型的示意性立体图；(b)是表示第2 分析模型中的排斥所导致的液膜膜厚的变化的示意性立体图。 图8中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案形成方法，其特征在于，该图案形成方法具有：第1工序，在具有显示防液性的凹部和显示亲液性的凸部的凹凸结构体上按照覆盖所述凹部和所述凸部的方式形成表面平坦的膜；和第2工序，使所述膜干燥从而形成图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本公明，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP