【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双重图形化方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有刻蚀层和位于刻蚀层上的第一掩膜层；图形化所述第一掩膜层，形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁上形成第一掩膜材料，所述第一凹槽内的第一掩膜材料之间形成第二凹槽；在所述第二凹槽中填满第二掩膜材料；采用第一灰化工艺去除所述第二掩膜材料和所述第一掩膜层之间的部分或全部第一掩膜材料；以及以所述图形化的第一掩膜层和所述第二掩膜材料为掩膜，刻蚀所述刻蚀层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，何其旸，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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