【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双重图形化方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有待刻蚀层、硬掩膜层、第一掩膜层；图形化所述第一掩膜层，形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁和底部形成第二掩膜层，所述第一凹槽内的第二掩膜层之间形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充满第三掩膜层，所述第三掩膜层的上表面与所述第二掩膜层上表面齐平；去除所述第三掩膜层、位于相邻的第二凹槽之间的第一掩膜层；以剩余的第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层形成图形化的硬掩膜层；以及以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，其中，所述待刻蚀层材料与硬掩膜层材料的刻蚀选择比大于所述待刻蚀层材料与第一掩膜层材料的刻蚀选择比，以确保在所述待刻蚀层刻蚀完成后，所述硬掩膜层没有被消耗完。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，何其旸，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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