一种用于形成硬掩膜层的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于形成硬掩膜层的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成第一硬掩膜材料层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述第一硬掩膜材料层构成的间隙壁；去除所述牺牲层；以及在所述衬底的表面和所述间隙壁的表面上形成第二硬掩膜材料层。该方法克服了采用PR掩膜或者顶部呈圆弧状的硬掩膜所存在的问题从而能够获得良好的LWR和CD均一性，并且该方法可与传统工艺兼容从而能够降低成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括：提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成第一硬掩膜材料层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述第一硬掩膜材料层构成的间隙壁；去除所述牺牲层；以及在所述衬底的表面和所述间隙壁的表面上形成第二硬掩膜材料层。该方法克服了采用PR掩膜或者顶部呈圆弧状的硬掩膜所存在的问题从而能够获得良好的LWR和CD均一性，并且该方法可与传统工艺兼容从而能够降低成本。【专利说明】—种用于形成硬掩膜层的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，且具体而言，涉及。此外，本专利技术还涉及利用该硬掩膜层进行自对准双重构图(SADP, Self-Aligned DoublePatterning)的方法。
技术介绍
随着半导体器件尺寸不断缩小，光刻关键尺寸(⑶)逐渐接近甚至超过了光学光刻的物理极限，由此给半导体制造技术尤其是光刻技术提出了更加严峻的挑战。而双重构图技术也适时而至，其基本思想是通过两次构图形成最终的目标图案，以获得单次构图所不能达到的光刻极限。双重构图技术目前主要包括下列三种:SADP (自对准双重构图)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成硬掩膜层的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成第一硬掩膜材料层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述第一硬掩膜材料层构成的间隙壁；去除所述牺牲层；以及在所述衬底的表面和所述间隙壁的表面上形成第二硬掩膜材料层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：