【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善关键尺寸负载效应的方法，应用于多晶硅的硬掩膜刻蚀工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一具有多晶硅层的衬底，且该多晶硅层的上表面覆盖有硬掩膜层；在所述硬掩膜层的上表面形成光阻图案，并以该光阻图案为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，形成具有孤立区域和密集区域的硬掩膜图案，且位于所述孤立区域的硬掩膜图案的关键尺寸和位于所述密集区域的硬掩膜图案的关键尺寸不相同；去除所述光阻图案；采用各向同性的等离子体对所述硬掩膜图案的关键尺寸进行修正，以减小位于所述孤立区域的硬掩膜图案的关键尺寸与位于所述密集区域的硬掩膜图案的关键尺寸之间的差值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦伟，高慧慧，杨渝书，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。