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本发明涉及一种改善关键尺寸负载效应的方法，应用于多晶硅的硬掩膜刻蚀工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一具有多晶硅层的衬底，且该多晶硅层的上表面覆盖有硬掩膜层；在所述硬掩膜层上表面形成光阻图案，以该光阻图案为掩膜对所述硬掩膜层进行干法刻蚀...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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