【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于准备六方晶系的碳化硅基板，向上述碳化硅基板进行离子注入，在进行了离子注入后的上述碳化硅基板上通过外延生长来形成碳化硅膜，在上述碳化硅膜中形成pn结区域。
【技术特征摘要】
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