碳化硅半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的碳化硅半导体装置100，具有碳化硅层110，与碳化硅层110相接的反应层120，与反应层120相接的导电性氧化层130，以及在反应层120的上方通过导电性氧化层130被形成的电极层140。导电性氧化层130的厚度最好在0.3nm～2.25nm的范围内。根据本发明专利技术的碳化硅半导体装置100，不是在反应层120上直接形成电极层140，而是在反应层120的上方通过导电性氧化层130形成电极层140，因此能够进一步降低半导体基体和电极层的接触电阻。另外，根据本发明专利技术的碳化硅半导体装置100，由于导电性氧化层130的厚度在0.3nm～2.25nm的范围内，因此可以进一步降低半导体基体和电极层的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
碳化硅半导体装置是具有碳化硅层的半导体装置，具有高耐压、低损失、低漏电电流、能够高温工作、能够高速工作等的优良特性。因此，这样的半导体装置特别期待被应用在开关(switching)元件、整流元件等的功率元件中。在功率元件中有功率M0SFET、IGBT、肖特基二极管(Schottky diode)、PN 二极管、半导体闸流管(thyristor)等,它们都具有与碳化硅层接触的欧姆电极，在多数情况下，在碳化硅层和欧姆电极之间有数安培的电流流通。作为碳化硅半导体装置的制造方法，以往我们已知如专利文献一中记载的方法(以往的碳化硅半导体装置的制造方法)。图10是表示以往的碳化硅半导体装置的制造方法的说明图。图10 (a) 图10 (e)为各工序图。如图10所示，以往的碳化硅半导体装置的制造方法依次包括:在碳化硅层910上形成由镍构成的导电层922的导电层形成工序(参照图10 (a))，让碳化硅层910和导电层922进行反应，形成由与碳化硅层910相接的反应层920和由存在于反应层920上的硅化物(silicide)层924构成的合金层的热处理工序(参照图10 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野纯一，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：
国别省市：