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本发明的碳化硅半导体装置100，具有碳化硅层110，与碳化硅层110相接的反应层120，与反应层120相接的导电性氧化层130，以及在反应层120的上方通过导电性氧化层130被形成的电极层140。导电性氧化层130的厚度最好在0.3nm～2...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

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