【技术实现步骤摘要】
石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法
本公开涉及石墨烯器件及其制造方法。
技术介绍
硅(Si)基半导体器件的集成度和容量已经被极大地提高。然而,由于Si材料的特性和制造工艺的限制,预计在将来实现更高集成和更高容量的Si基半导体器件会更加困难。因此,正在对克服Si基半导体器件的限制的下一代器件进行研究。例如,已经试图通过使用诸如石墨烯的碳基纳米结构来制造高性能器件。石墨烯是由碳原子构成的单层六边形结构,它是化学稳定和结构稳定的,并表现出期望的电/物理性质。例如,石墨烯具有高达约2×105cm2/Vs的电荷迁移率,比硅的电荷迁移率快一百倍以上,并具有约108A/cm2的电流密度,比铜(Cu)的电流密度大一百倍以上。因此,石墨烯作为克服一般器件的限制的下一代材料已经受到关注。然而,因为在石墨烯的形成工艺中存在一些限制,所以利用石墨烯来制造器件是相对困难的。通过现有的技术,在绝缘薄膜上生长高质量的石墨烯是相对困难的。因此,石墨烯不得不形成在金属薄膜上然后被转移到另一基板上。然而,在转移石墨烯期间,石墨烯会具有一些缺陷或被暴露于污染物。此外,对石墨烯的操作也是不容易的。因此 ...
【技术保护点】
一种制造石墨烯器件的方法,该方法包括:在第一基板上形成石墨烯层;在所述第一基板上形成器件部分,所述器件部件包括所述石墨烯层;将第二基板附接到所述器件部分上;以及移除所述第一基板。
【技术特征摘要】
2012.01.26 KR 10-2012-00077971.一种制造石墨烯器件的方法,该方法包括:在第一基板上形成石墨烯层;在所述第一基板上形成器件部分,所述器件部分包括所述石墨烯层,其中形成所述器件部分包括:形成分别接触所述石墨烯层的第一区和第二区的源电极和漏电极;形成覆盖所述石墨烯层、所述源电极和所述漏电极的栅绝缘层;以及在所述栅绝缘层上且在所述源电极与所述漏电极之间形成栅极;将第二基板附接到所述器件部分上;以及移除所述第一基板;在移除所述第一基板之后,将第三基板附接在所述器件部分上,其中所述器件部分设置在所述第二基板与所述第三基板之间;以及去除整个所述第二基板。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:形成覆盖所述器件部分的绝缘层;和蚀刻部分的所述绝缘层和部分的所述栅绝缘层以暴露所述源电极、所述漏电极和所述栅极。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中附接所述第三基板包括选择玻璃基板、塑料基板和聚合物基板之一作为所述第三基板。4.根据权利要求1或2所述的方法,其中附接所述第三基板包括选择柔性基板作为所述第三基板。5.根据权利要求1或2所述的方法,还包括:在所述器件部分与所述第三基板之间形成保护层。6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:李昌承,李周浩,金容诚,文彰烈,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。