【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，具体是一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法。
技术介绍
石墨烯是一种具有理想二维晶体结构的碳质新材料，是目前已知导电性能最出色的材料，其饱和漂移速度为5.5×107 cm/s，载流子迁移率大于200,000 cm2/Vs，适用于制作超高频器件。然而石墨烯特殊的二维晶体结构，在器件加工过程中，石墨烯易于受到损伤和沾污，从而对石墨烯材料造成掺杂和污染，进而影响石墨烯器件的性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，先制作石墨烯器件所需的电极、介质等，最后生长石墨烯材料，形成石墨烯器件，从而避免了石墨烯材料在器件加工过程中受损和污染，提高石墨烯器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成电极；二、在带有电极的衬底上生长所需的介质材料；三、最后生长石墨烯，制得石墨烯器件。步骤一中，电极的栅极嵌入衬底内；或电极的栅极在衬底之上。步骤二中介质材料生长在栅极上。步骤一中的衬底为SiC、SiO2、Si、sapphire、BN、金刚石、玻璃中的一种。步骤三中采用CVD法生长石墨烯。采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本专利技术先制作石墨烯器件工艺中所需的电极、介质等，最后生长石墨烯材料，形成石墨烯器件，避免了石墨烯材料在器件加工过程中受损和污染，提高石墨烯器件的性能。附图说明图1是本专利技术实施例一中的步骤一的结构图；图2是本专利技术实施例一中的步骤二的结构图；图3是本专利技术实施例一中的步骤三的结构图；...
【技术保护点】
一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一、在衬底（1）上形成电极；二、在带有电极的衬底（1）上生长介质材料（5)；三、最后生长石墨烯(6)，制得石墨烯器件。
【技术特征摘要】
1.一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一、在衬底（1）上形成电极；二、在带有电极的衬底（1）上生长介质材料（5)；三、最后生长石墨烯(6)，制得石墨烯器件。2.根据权利要求1所述的无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，其特征在于，步骤一中，电极的栅极（4）嵌入衬底（1）内；或电极的栅极（4）在衬底（1）之上。3.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李佳，芦伟立，房玉龙，尹甲运，王波，张志荣，郭艳敏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13
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