一种图形化纳米颗粒自组装制造方法技术

本发明专利技术涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲苯薄膜；采用金刚石划片机对硅衬底进行划片；采用丙酮去除在硅衬底表面的光刻胶；将去除光刻胶后的硅衬底浸泡在浓硫酸、双氧水的混合液中，取出后用去离子水清洗；取一定量制备好的纳米颗粒悬浊液，滴入到装有乙醇的容器中，将两种液体混合均匀并缓慢倒入已装有去离子水的培养皿中；将得到的硅衬底完全浸泡在培养皿中的液体后，取出放置在另一培养皿中，并水平放入一干燥箱内，在室温条件下自然蒸发后得到具有图形化纳米颗粒自组装的硅衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是关于一种利用纳米颗粒蒸发诱导自组装现象，制备出亲疏水性硅衬底辅助纳米颗粒自组装的制造方法。
技术介绍
自组装(self-assembly)是指分子及纳米颗粒等结构单元在平衡条件下,通过非共价键作用自发地缔结成热力学稳定的、结构上确定的、性能上特殊的聚集体的过程。自组装最大的特点为自组装的过程一旦开始，将自动进行到某个预期的终点，分子等结构单元将自动排列成有序的图形，即使是形成复杂的功能体系也不需要外力的作用。自组装可以形成单分子层、膜、囊泡、胶束、微管、小棒及更复杂的有机-金属、有机-无机、生物-非生物的复合物等，其多样性超过其它方法所制备的材料。纳米颗粒的自组装排布方法有很多种，按实现途径来分主要有:浸溃涂布、旋转涂布、电泳淀积和蒸发自组装等。蒸发自组装时，将经过适当处理的基片浸泡在纳米颗粒悬浊液中(或者将悬浊液滴在基片表面上)，控制周围环境的温度、湿度、气体流速等，使悬浊液以一定速度蒸发。当液面厚度接近或者小于纳米颗粒直径时，纳米颗粒将逐渐析出，表面张力和范德华力等因素迫使它们固定于衬底表面并紧密排列，从而在基片上获得具有特殊结构的规则有序纳米颗粒阵列。与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其包括以下步骤：1）采用4英寸单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；2）通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；3）采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲苯薄膜；4）采用金刚石划片机对硅衬底进行划片；5）采用丙酮去除在硅衬底表面的光刻胶；6）将硅衬底在温度为120℃的浓硫酸、双氧水的混合液中浸泡10分钟，取出后用去离子水清洗5～10次；7）取10～15uL的制备好的纳米颗粒悬浊液，滴入到装有1mL乙醇的容器中，将两种液体混合均匀并缓慢倒入已装有去离子水的培养皿中；8）将步骤6）得到的硅衬底完全浸泡在培...

【技术特征摘要】
1.一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其包括以下步骤: 1)采用4英寸单面抛光单晶硅衬底，通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜； 2)通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形； 3)采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲苯薄膜； 4)采用金刚石划片机对硅衬底进行划片； 5)采用丙酮去除在硅衬底表面的光刻胶； 6)将硅衬底在温度为120°C的浓硫酸、双氧水的混合液中浸泡10分钟，取出后用去离子水清洗5 10次； 7)取10 15uL的制备好的纳米颗粒悬浊液，滴入到装有ImL乙醇的容器中，将两种液体混合均匀并缓慢倒入已装有去离子水的培养皿中； 8)将步骤6)得到的硅衬底完全浸泡在培养皿中的液体后，取出放置在另一培养皿中，并水平放入一干燥箱内，在室温条件下自然蒸发后，即得到具有图形化纳米颗粒的硅衬底。2.如权利要求1所述的一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其特征在于:所述步骤 2)中，光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文刚，杨增飞，钱闯，王诣斐，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：