超级结深沟槽刻蚀工艺改进方法技术

本发明专利技术公开了一种超级结深沟槽刻蚀工艺改进方法，包括步骤：在晶圆上淀积第一层硬掩膜；在第一层硬掩膜上再淀积第二层硬掩膜，将晶圆边缘覆盖住；光刻，刻蚀，打开深沟槽；去掉第一层和第二层硬掩膜。本发明专利技术通过在原有硬掩膜上再淀积一层硬掩膜，将晶圆边缘覆盖住，使晶圆边缘在深槽刻蚀工艺中不被损伤，从而保证了产品的良率和刻蚀工艺的面内均一性，同时还降低了设备成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及超级结深沟槽刻蚀工艺的改进方法。
技术介绍
深槽型超级结产品是利用挖深槽，然后在深槽内用填充工艺(如EPI工艺)填入与衬底相反型的掺杂硅来实现的。由于超级结产品要求的击穿电压较高，因此要求沟槽必须达到一定的深度，这就给深槽刻蚀工艺带来了较高的要求。因为依照基准工艺流程生长的硬掩膜只能覆盖在晶圆的正面，晶圆的边缘位置覆盖不到(见图1)，因此，晶圆的边缘会受到深沟槽刻蚀工艺带来的损伤，如图2所示，导致晶圆边缘产生缺陷，进而导致器件失效、产品良率降低；更为严重的是，在后续的湿法清洗工艺中，因晶圆浸泡在酸液中，晶圆边缘的缺陷(如颗粒缺陷)会被酸液冲洗到晶圆面内(有效器件位置)，从而导致器件失效、产品良率降低。为了避免晶圆边缘在深槽刻蚀后产生缺陷，目前的方法是在进行深槽刻蚀时，使用带有保护环的深沟槽刻蚀设备，但是这种方法的缺点是设备的成本较高，而且保护环会影响深沟槽的刻蚀角度，进而影响到刻蚀工艺的面内均一性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以提闻广品的良率。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括以下步骤: I)在晶圆上淀积第一层硬掩膜；2)在第一层硬掩膜上再淀积第二层硬掩膜，将晶圆边缘覆盖住；3)光刻,刻蚀,打开第一层和第二层硬掩模；4)刻蚀，打开深沟槽；5)去掉第一层和第二层硬掩膜。本专利技术通过在原有硬掩膜上再淀积一层硬掩膜，将晶圆边缘覆盖住，使晶圆边缘在深槽刻蚀工艺中不被损伤，从而保证了产品的良率和刻蚀工艺的面内均一性，同时还降低了设备成本。附图说明图1是基准工艺流程示意图。其中，(a)是生长硬掩膜；(b)是深沟槽刻蚀；(C)是去掉硬掩膜后的晶圆。图2是本专利技术的改进工艺流程示意图。其中，(a)是生长第一层硬掩膜；(b)是生长第二层硬掩膜；(C)是硬掩模刻蚀；(d)是深沟槽刻蚀；(e)是去掉硬掩膜后的晶圆。具体实施例方式为对本专利技术的
技术实现思路
、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下:本实施例的，其具体工艺步骤如下:步骤1，在晶圆上用化学气相沉积方法淀积一层氧化膜作为第一层硬掩膜，如图2(a)所示。氧化膜的厚度与加工的深沟槽深度相关，应确保深沟槽刻蚀过程中对晶圆表面的保护。步骤2，在第一层硬掩膜上用炉管工艺生长一层非掺杂多晶硅作为第二层硬掩膜，将整片晶圆覆盖住，如图2(b)所示。第二层硬掩膜的材料可以是多晶硅，也可以是其他材料的能覆盖住晶圆边缘的薄膜。第二层硬掩的膜质，要求在硬掩膜刻蚀过程中，对第一层硬掩膜的刻蚀速率选择比大，以确保后续在刻蚀硬掩膜过程中，第二层硬掩膜不会被过量刻蚀。步骤3，在第二层硬掩膜上涂布光刻胶，显影，定义出图形；步骤4，采用干法刻蚀工艺将硬掩膜打开。刻蚀工艺可以选择一道工艺(需在程序中设置成两步骤)或者两道刻蚀工艺，分别刻蚀第一层和第二层硬掩膜，如图2(c)所示。步骤 5，采用干法刻蚀工艺刻蚀出深沟槽。此时第二层硬掩膜会保护晶圆边缘免受损伤，如图2(d)所示。步骤6，采用湿法刻蚀方法，去掉第一层和第二层硬掩膜，如图2(e)所示。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超级结深沟槽刻蚀工艺改进方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在晶圆上淀积第一层硬掩膜；2)在第一层硬掩膜上再淀积第二层硬掩膜，将晶圆边缘覆盖住；3)光刻，刻蚀，打开第一层和第二层硬掩膜；4)刻蚀，打开深沟槽；5)去掉第一层和第二层硬掩膜。

【技术特征摘要】
1.一种超级结深沟槽刻蚀工艺改进方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)在晶圆上淀积第一层硬掩膜； 2)在第一层硬掩膜上再淀积第二层硬掩膜，将晶圆边缘覆盖住； 3)光刻，刻蚀，打开第一层和第二层硬掩膜； 4)刻蚀,打开深沟槽； 5)去掉第一层和第二层硬掩膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤I)，采用化学气相沉积法淀积第一层硬掩膜。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，采用炉管工艺生...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，钟秋，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：