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本发明公开了一种超级结深沟槽刻蚀工艺改进方法，包括步骤：在晶圆上淀积第一层硬掩膜；在第一层硬掩膜上再淀积第二层硬掩膜，将晶圆边缘覆盖住；光刻，刻蚀，打开深沟槽；去掉第一层和第二层硬掩膜。本发明通过在原有硬掩膜上再淀积一层硬掩膜，将晶圆边缘覆...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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