The invention discloses a manufacturing process in light structure of photovoltaic cell surface based on nanoparticles, which comprises the following steps: 1) making self-assembly mask by silica, and positive acid mixture and ethyl alcohol solution, the mask made of silica nanoparticles self-assembly mask self-assembly of silica nanoparticles; 2) self assembled mask, etching on the silicon wafer has spread PN, then the light trapping structure etched on the surface of the silicon wafer, for the production of silicon micro column array. The invention reduces the cost of reactive ion etching method, and modified by mixed acid solution can reduce the number of defects after etching, the silicon pillars can become a good light trapping structure, and can not make the surface etching defect surge, thereby reducing the reflectivity of the photovoltaic battery and increase battery photocurrent.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能光伏电池陷光结构的制造工艺领域,具体地说,特别涉及到一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺。
技术介绍
目前现有晶硅电池的陷光结构主要有金字塔结构(绒面)和薄膜减反层两种。绒面制备的主要方法有:机械制绒、化学腐蚀制绒、反应离子制绒等。光伏电池工业生产一般采用化学腐蚀法进行绒面制备。对于晶向规则的单晶硅片,使用KOH等碱性溶液进行各向异性腐蚀制绒;对于晶向杂乱的多晶硅片,使用HF和HNO3等酸溶液进行各向同性制绒,或碱溶液进行各向异性制绒。反应离子刻蚀方法是利用SF6、O2混合气体在高频电场下产生辉光放电,将气体电离分解为等离子体,等离体在外加电场作用下高速撞击硅片表面产生的物理化学反应,将硅片表面腐蚀掉,具有较高的纵向刻蚀速度。结合适当的掩模,反应离子刻蚀可达到较为理想的减反陷光结构。另一种表面陷光结构是在晶硅电池表面沉积氮化硅减反层。目前表面陷光结构研究热点,还有多孔硅制备,黑硅事实制备,以及激光刻槽等。现有的表面陷光结构各自有自己的局限性。减反层只能针对某一狭窄波段的光波实现减反射作用,不能在硅电池吸收的太阳光谱波段(380-1000nm)实现。各向同性化学腐蚀制单晶硅表面得到的金字塔结构中,金字塔高度有限,不能达到理想的减反射效果。仅依靠延长腐蚀时间,无法实现增加金字塔绒面高度,进一步减小反射的效果。反应离子刻蚀法一般需要使用专门定制的掩模版进行刻蚀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术中的不足,提供一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺,提出将自组装二氧化硅纳米颗粒作为掩模版,并将该掩模版用于晶硅电 ...
【技术保护点】
一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺,其特征在于,包括如下步骤:1)采用二氧化硅制作自组装掩模版,并将正酸乙酯和乙醇溶液混合,在自组装掩模版制作出二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版;2)二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版,对已经扩散好PN的硅片进行刻蚀,再在硅片的表面进行陷光结构的刻蚀,以制作硅微米柱阵列。
【技术特征摘要】
1.一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺,其特征在于,包括如下步骤:1)采用二氧化硅制作自组装掩模版,并将正酸乙酯和乙醇溶液混合,在自组装掩模版制作出二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版;2)二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版,对已经扩散好PN的硅片进行刻蚀,再在硅片的表面进行陷光结构的刻蚀,以制作硅微米柱阵列。2.根据权利要求1所述的基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺,其特征在于,所述二氧化硅纳米颗的尺寸与...
【专利技术属性】
技术研发人员:王珺,郭群超,朱红英,丁云飞,朱晨烜,
申请(专利权)人:上海电机学院,
类型:发明
国别省市:上海;31
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