光刻胶图案修整方法技术

修整光刻胶图案的方法。方法包括：在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中修整组合物包括基质聚合物、热酸产生剂和溶剂，修整组合物没有交联剂。加热被涂覆的半导体衬底以由热酸产生剂在修整组合物中产生酸，因此导致在光刻胶图案的表面区中的基质聚合物的极性的改变。光刻胶图案和显影液接触以去除光刻胶图案的表面区。该方法在半导体器件的制造中的非常好的光刻特征的形成中有特别的应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种修整光刻胶图案的方法，所述方法包括顺序次序的下述步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其上表面上具有一层或更多层要被图案化的层；(b)在该一层或多层要被图案化的层上形成光刻胶图案，其中该光刻胶图案包括多个特征且由化学增强型光刻胶组合物形成，该光刻胶图案包含具有酸不稳定基团的基质聚合物；(c)在该光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中该修整组合物含基质聚合物、热酸产生剂和溶剂，并且其中该修整组合物没有交联剂；(d)加热涂覆的半导体衬底以由热酸产生剂在修整组合物中产生酸，从而导致在光刻胶图案的表面区域的光刻胶基质聚合物的极性的改变；以及(e)使光刻胶图案与显影液接触以去除光刻胶图案的表面区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：CB·徐，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：