【技术实现步骤摘要】
反向短沟道效应的减少本专利技术一般地涉及半导体器件,具体地涉及发生在半导体器件中的反向短沟道效应。半导体集成电路中减小其特征尺寸的趋势产生了沟道长度接近于0.05微米的器件。但是,随着有效沟道长度(Leff)的减小,沟道的导电率反向且发生导电的门电压一门限(阈)电压一增加到理论的预期水平之上。图1表示电压的这种增加,或反向短沟道效应(RSCE),这一般说来是一种不希望出现的效应。图1中的虚线表示在带栅极的器件中理想的沟道导电性能。随着沟道长度的减小而门限电压反而趋向更高这一趋势在某一点上会反向,这时门限电压急剧下降。门限电压的这种突然减小被称为短沟道效应(SCE)。传统上,随着采取措施以减少RSCE,则SCE会变坏,这是一个不希望的附带效应。RSCE一般都认为是由于在n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)中阈能硼堆积在源极和漏极的边缘而引起的,同时也因为在短沟道中跨越FET的沟道区内通常是不均匀的硼的分布所引起的。曾经使用过在沟道区中补充注入P型离子以减少在沟道区中硼的堆积的影响来试图防止RSCE。另一种曾经使用过以减少FET中的RSCE的技术是在FET的源极和漏极区中注入锗。图2中在10处总体上表示NFET的截面,在其中在源极18和漏极20的区域中加入了浅层的锗注入区22。P型硅基片12含有一个分布在栅极氧化物15上并位于侧壁间隔16之间的栅极14。源极18和漏极20各有一浅层锗注入区22,它们是用来防止RSCE而形成的。但是,用来减少RSCE的常规技术需要外加的加工步骤,并能引起对器件性能的不需要的附带效果。在本技术中所需要的是制造一种不会 ...
【技术保护点】
一种在制造半导体器件的方法中的改进,该半导体器件具有在半导体基片上形成的栅极和在半导体基片中形成的扩散区,该改进包括:将中性掺杂剂覆盖式注入到所说的半导体基片中,其能量剂量足以将所说的中性掺杂剂注入到其深度大于所说的扩散区的深度。
【技术特征摘要】
JP 2000-3-30 09/5395271.一种在制造半导体器件的方法中的改进,该半导体器件具有在半导体基片上形成的栅极和在半导体基片中形成的扩散区,该改进包括:将中性掺杂剂覆盖式注入到所说的半导体基片中,其能量剂量足以将所说的中性掺杂剂注入到其深度大于所说的扩散区的深度。2.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的注入步骤包括在形成所说的扩散区之前注入所说的锗。3.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的注入步骤包括在形成所说的栅极之前注入所说的锗。4.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的注入步骤包括以这样的剂量注入锗,该剂量在所说的步骤的加热阶段足以防止在所说的半导体基片中在所说的各扩散区之间相对于所说各扩散区中的掺杂剂而言的掺杂剂过扩散。5.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的半导体器件是FET。6.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的各扩散区是源漏扩散区。7.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的栅极是多晶硅。8.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的半导体基片是硅。9.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的锗被注入到所说的半导体基片中以形成从约0.10到约0.50微米深的峰值浓缩区。10.权利要求9的方法,其特征在于其中所说的锗被注入到所说的半导体基片中以形成从约0.15到约0.30微米深的峰值浓缩区。11.权利要求10的方法,其特征在于其中所说的锗被注入到所说的半导体基片中以形成从约0.20到约0.25微米深的峰值浓缩区。12.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的锗被注入到使其峰值浓度为约1019到1021个锗离子cm-3。13.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的锗被注入到使其峰值浓度为约1020个锗离子cm-3。14.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的注入是在形成所说的栅极以后进行的。15.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗,所说的注入是在形成所说的扩散区后进行的。16.权利要求1的方法,其特征在于其中所说的中性掺杂剂是硅。17.一种半导体器件,包括:一个半导体基片;布置在所说基片上的第一扩散区;布置在所说基片上的第二扩散区;布置在所说的第一扩散区和所说的第二扩散区之间的沟道区;布置在所说的半导体基片上在所说的沟道区之上并与所说的第一扩散区和所说的第二扩散区重叠的栅极氧化物;布置在所说的栅极氧化物上的栅电极;以及布置在整个所说的基片上的中性掺杂剂扩散注入区,所说的中性掺杂剂扩散注入区具有在所说的第一扩散区和所说的第二扩散区之下的峰值浓缩区。18.权利要求17的器件,其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注入区是锗,且所说的半导体器件是FET。19.权利要求17的器件,其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注入区是锗,且所说的第一扩散区和所说的第二扩散区是源极和漏极扩散区。20.权利要求17的器件,其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注...
【专利技术属性】
技术研发人员:JS布朗,SS弗卡伊,小RJ高蒂尔,DW马丁,JA斯林克曼,
申请(专利权)人:国际商业机器公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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