检测研磨工艺负载效应的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测研磨工艺负载效应的方法，通过采用测试晶圆测试出平坦化工艺的研磨缺陷间距及研磨工艺的最佳工艺时间，于工艺晶圆上设置对应间距的虚拟图案，并对工艺晶圆进行最佳工艺时间的平坦化工艺，进而能有效的避免因晶圆上图形密度不同而引起的负载效应的产生，在提高产品性能的同时，增大了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展和集成度的提高，晶圆上芯片边缘的虚拟图形区域经常被用来布局一些功能性的电路，由于这些区域靠近芯片切割道，往往具有比较空旷的区域，而在实际生产中的工艺操作很容易在晶圆的空旷区域和密集区域形成不一样的工艺条件，造成负载效应，尤其是对大尺寸晶圆进行平坦化工艺时，形成的负载效应更加明显；如在对晶圆进行化学机械研磨工艺(CMP)时，由于是对整片晶圆一起进行研磨工艺，使得在大尺寸的晶圆(如直径为300毫米的晶圆)比小尺寸的晶圆(如直径200毫米的晶圆)更容易受到负载效应的影响，从而在不同区域形成不同的研磨速率。由于不同图形密度区域的研磨速率的不同就会造成对晶圆的过度研磨缺陷，即在晶圆的边缘虚拟图形因为靠近空旷区域，而使得其研磨速度相对靠近密集区域的研磨速度较快，因此就会形成了的过度研磨缺陷，而对于在电路设计中把一些功能性的电路置于空旷区域形成的过度研磨则更加危险，因为类似虚拟图案的地方在后续工艺过程中会通过接触孔与后端金属电路相接，若在此区域形成了过度研磨缺陷，往往对产品良率造成极大影响。中国专利(公开号:CN1674234A)公开了，通过在表示化学机械研磨状况的曲线中，利用良好地近似于表示目标研磨量一侧的部分的公式作为计算公式，可以依照实际实施产品晶片的研磨的化学机械研磨的状况，高精度地设定研磨速率及研磨时间的计算。利用算符将与研磨对象的膜的模特性相关的参数A、与膜表面的起伏状态相关的参数B、与化学机械研磨装置之间的机械误差相关的参数C结合在计算公式中。该技术文献并没有公开有关解决因图形密度不同而造成研磨速率不同，进而造成过度研磨缺陷问题的相关任何技术特征。中国专利(公开号:CN101242931A)公开了一种用于化学研磨的光谱基地检测设备与方法，包含光谱基地终点侦测、光谱基低研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片，主要通过光谱基低终点逻辑判定研磨工艺终点，进而控制化学研磨工艺。该技术文献也没有公开有关解决因图形密度不同而造成研磨速率不同，进而造成过度研磨缺陷问题的相关任何技术特征。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开了一种，其中，包括:根据工艺需求制备多个测试晶圆；对所述测试晶圆进行平坦化工艺，以获取过度研磨缺陷的间距；根据所述过度缺陷的间距于工艺晶圆上设置虚拟图案后，对所述工艺晶圆进行平坦化工艺；其中，根据所述工艺晶圆的图案制备所述测试晶圆。上述的，其中，对每个所述测试晶圆的进行平坦化工艺的时间均不相同；且在对所述测试晶圆进行平坦化工艺时，同时获取每个测试晶圆平坦化工艺后过度研磨缺陷数据和剩余氧化物数据，以建立测试晶圆的平坦化工艺时间分别与所述过度研磨缺陷和剩余氧化物之间的函数关系。上述的，其中，还包括:根据所述平坦化工艺时间分别与所述过度研磨缺陷和剩余氧化物之间的函数关系，获取进行平坦化工艺的最佳工艺时间；并对所述工艺晶圆进行所述最佳工艺时间的平坦化工艺。上述的，其中，根据所述过度缺陷的间距于工艺晶圆上设置对应间距的虚拟图案。上述的，其中，所述虚拟图案包括间距为0.m的虚拟图案、间距为Ium的虚拟图案和间距为2iim的虚拟图案。上述的，其中，所述虚拟图案的图像根据工艺需求设定。上述的，其中，根据所述工艺晶圆的图案设定光罩，并根据所述光罩制备与所述工艺晶圆图案相同的所述测试晶圆。上述的，其中，对所述测试晶圆进行的平坦化工艺条件与对所述工艺晶圆进行的平坦化工艺条件中除工艺时间外，其他的工艺条件均相同。上述的，其中，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。上述的，其中，还包括:设置多个间距的虚拟图案光罩，并以所述虚拟光罩为掩膜于所述工艺晶圆上的虚拟图案区域制备所述虚拟图案。综上所述，本专利技术一种，通过采用测试晶圆测试出平坦化工艺的研磨缺陷间距及研磨工艺的最佳工艺时间，于工艺晶圆上设置对应间距的虚拟图案，并对工艺晶圆进行最佳工艺时间的平坦化工艺，进而能有效的避免因晶圆上图形密度不同而引起的负载效应的产生，在提高产品性能的同时，增大了产品的良率。附图说明图1为实施例中的流程示意图；图2为实施例中平坦化工艺时间分别与过度研磨缺陷和剩余氧化物之间的函数关系不意图；其中，图2中横轴表示工艺时间值，纵轴表示过度研磨缺陷值和剩余氧化物值，直线I表示工艺时间与剩余氧化物之间的函数关系，直线2表示工艺时间与过度研磨缺陷之间的函数关系，时间t为平坦化工艺的最佳工艺时间值。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的说明:图1为实施例中的流程示意图；图2为实施例中平坦化工艺时间分别与过度研磨缺陷和剩余氧化物之间的函数关系示意图，其中，横轴表示工艺时间值，纵轴表示过度研磨缺陷值和剩余氧化物值，直线I表示工艺时间与剩余氧化物之间的函数关系，直线2表示工艺时间与过度研磨缺陷之间的函数关系，时间t为平坦化工艺的最佳工艺时间值。如图1-2所示，一种，主要应用于如Logic、Memory、RF、HV、Analog/Power等技术平台上,可根据工艺需求预先设置多个不同间距的虚拟图案光罩(掩膜版)，如预先设定间距为0.5 μ m、I μ m、1.5μηι或2μηι等范围的虚拟图案光罩，也可在工艺过程中根据具体测量的间距数值设定虚拟图案光罩，且虚拟光罩中的图形可根据具体的工艺需求设定，如设定为方形、圆形或多边形等。首先，根据需要进行平坦化工艺的工艺晶圆制备多个测试晶圆的光罩(掩膜版)，每个光罩的图形均与工艺晶圆上的图像相同，并以该光罩为掩膜，制备多个与工艺晶圆图像相同的测试晶圆，且该测试晶圆与工艺晶圆的材质等条件均相同。其次，分别对每个测试晶圆进行不同工艺时间的平坦化工艺，并同时收集进行过平坦化工艺的测试晶圆上的过度研磨缺陷值及剩余氧化物的值，同时记录下对该测试晶圆进行的工艺时间。将上述的每个测试晶圆的工艺时间、过度研磨缺陷值和剩余氧化物的值汇总后，获取过度研磨缺陷之间的间距，并分别建立进行平坦化的工艺时间分别与过度研磨缺陷和剩余氧化物之间的函数关系图(如图2所示)，直线I与直线2交叉位置的工艺时间t就是进行平坦化工艺的最佳工艺时间值；其中，也可以对其他的平坦化工艺条件进行检测，其工艺步骤与检测工艺时间的值近似，在此不再累述。之后，根据过度研磨缺陷之间的间距，以相应间距的虚拟图案光罩为掩膜，于工艺晶圆的虚拟图案区域制备相应的虚拟图案，如过度研磨缺陷之间的间距为I μ m，则采用间距为Ιμπι的虚拟图案光罩为掩膜，若过度研磨缺陷之间的间距为1.5μπι，则采用间距为1.5 μ m的虚拟图案光罩为掩膜，即研磨缺陷之间的间距与虚拟图案光罩的间距相同。最后，对制备有虚拟图案的工艺晶圆进行最佳工艺时间t的平坦化工艺，以完成对工艺晶圆的平坦化操作；由于在工艺晶圆的虚拟图案区域设置了与在该平坦化工艺条件下产生过度研磨缺陷间距相同的虚拟图案，进而降低了因图案密度不均而造成的晶圆不同区域的研磨速率不同，有效避免研磨工艺负载效应的产生。优选的，上述的平坦化工艺为化学机械研磨工艺，且对测试晶圆进行的平坦化工艺条件与对工艺晶圆进行的平坦化工艺条件中除工艺时间外，其他的工艺条件均相同。另外，作为本专利技术的变换，也可通过改进研磨工艺的平坦度来获取稳定且安全的平坦化工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测研磨工艺负载效应的方法，其特征在于，包括：根据工艺需求制备多个测试晶圆；对所述测试晶圆进行平坦化工艺，以获取过度研磨缺陷的间距；根据所述过度缺陷的间距于工艺晶圆上设置虚拟图案后，对所述工艺晶圆进行平坦化工艺；其中，根据所述工艺晶圆的图案制备所述测试晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种检测研磨工艺负载效应的方法，其特征在于，包括: 根据工艺需求制备多个测试晶圆； 对所述测试晶圆进行平坦化工艺，以获取过度研磨缺陷的间距； 根据所述过度缺陷的间距于工艺晶圆上设置虚拟图案后，对所述工艺晶圆进行平坦化工艺； 其中，根据所述工艺晶圆的图案制备所述测试晶圆。2.根据权利要求1所述的检测研磨工艺负载效应的方法，其特征在于，对每个所述测试晶圆的进行平坦化工艺的时间均不相同； 且在对所述测试晶圆进行平坦化工艺时，同时获取每个测试晶圆平坦化工艺后过度研磨缺陷数据和剩余氧化物数据，以建立测试晶圆的平坦化工艺时间分别与所述过度研磨缺陷和剩余氧化物之间的函数关系。3.根据权利要求2所述的检测研磨工艺负载效应的方法，其特征在于，还包括: 根据所述平坦化工艺时间分别与所述过度研磨缺陷和剩余氧化物之间的函数关系，获取进行平坦化工艺的最佳工艺时间； 并对所述工艺晶圆进行所述最佳工艺时间的平坦化工艺。4.根据权利要求1所述的检测研磨工艺负载效应的方法，其特征在于，根据所述过度缺陷的间...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙吟，范荣伟，王洲男，倪棋梁，王恺，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：