一种化学机械研磨工艺的模拟装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种化学机械研磨工艺的模拟装置的建立，包括：第一步骤：根据工艺平台下的设计规则，设计线宽对数‑密度矩阵表格，包括线宽对数/密度的取值范围以及线宽对数/密度坐标序列的步径选取；第二步骤：根据线宽对数‑密度矩阵表格中表格交点对应的线宽和密度，设计一系列测试图形；第三步骤：收集各测试图形的化学机械研磨结果数据，直接赋值给对应的各表格交点；第四步骤：基于线性插值的数学方法，对所述线宽对数‑密度矩阵表格中剩余的空白表格交点进行化学机械研磨结果计算并赋值；第五步骤：优化所述线宽对数‑密度矩阵表格交点，保存得到最终模拟装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域和电子设计自动化
，更具体地说，本专利技术涉及一种化学机械研磨工艺的模拟装置。
技术介绍
在集成电路制造过程中，随着技术节点的提升，光刻分辨率的不断提高，光刻可解析的最小线宽不断减小，光刻焦深也在快速地缩小。光刻工艺窗口也越来越小。与此同时，产品设计的层数却在不断增加。特别对金属层，表面的平整度影响光刻中所要求的聚焦深度，以及互联结构的应力分布等。对于多层的电路，表面的平整度严重影响了光刻的工艺窗口。为了保证光刻工艺窗口的有效性，产品表面必须到达一定的平整度。当前，在集成电路制造中，通常使用化学机械研磨(CMP)的工艺来使产品金属介质层表面形貌到达平坦化的目的。而在化学机械研磨过程中，由于研磨液的选择比，研磨盘压力，产品表面形貌等变化，使得化学机械研磨之后的芯片表面并不能达到完全的平坦化，而是存在拓扑起伏。通常，用于描述这种形貌的概念为介质碟形和介质侵蚀。介质碟形指的是在图形位置，一种介质与另外一种介质间的厚度之差；介质侵蚀指在有图形区域与无图形区域的厚度之差。介质的碟形与侵蚀是由化学机械研磨带来的伴随问题，过大的介质碟形和介质侵蚀同样对光刻工艺窗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械研磨工艺的模拟装置，其特征在于包括：第一步骤：根据工艺平台下的设计规则，设计线宽对数‑密度矩阵表格，包括线宽对数/密度的取值范围以及线宽对数/密度坐标序列的步径选取；第二步骤：根据线宽对数‑密度矩阵表格中表格交点对应的线宽和密度，设计一系列测试图形；第三步骤：收集各测试图形的化学机械研磨结果数据，直接赋值给对应的各表格交点；第四步骤：基于线性插值的数学方法，对所述线宽对数‑密度矩阵表格中剩余的空白表格交点进行化学机械研磨结果计算并赋值；第五步骤：优化所述线宽对数‑密度矩阵表格交点，保存得到最终模拟装置。

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨工艺的模拟装置，其特征在于包括：第一步骤：根据工艺平台下的设计规则，设计线宽对数-密度矩阵表格，包括线宽对数/密度的取值范围以及线宽对数/密度坐标序列的步径选取；第二步骤：根据线宽对数-密度矩阵表格中表格交点对应的线宽和密度，设计一系列测试图形；第三步骤：收集各测试图形的化学机械研磨结果数据，直接赋值给对应的各表格交点；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹云，阚欢，魏芳，朱骏，吕煜坤，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31